检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:陈宝钦[1]
机构地区:[1]中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室,北京100029
出 处:《微纳电子技术》2011年第2期69-73,共5页Micronanoelectronic Technology
基 金:国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB0N0604);国家自然科学基金项目(61078060);基础科研项目(B1020090022)
摘 要:2下一代光刻技术 虽然光学光刻技术为微电子技术突飞猛进的发展立下了汗马功劳,创造了一次又一次的人间奇迹,然而目前集成电路特征尺寸也越来越接近物理极限。为开发研究新一代的光刻技术,近年来世界各大国和各国著名的大公司联合开展下一代光刻技术的研究与开发,
关 键 词:纳米加工技术 下一代光刻技术 微光刻 研究与开发 光学光刻技术 微电子技术 物理极限 特征尺寸
分 类 号:TN305.6[电子电信—物理电子学] TN305.7
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