下一代光刻技术

作品数：24被引量：70H指数：6
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光刻胶材料发展状况及下一代光刻技术对图形化材料的挑战被引量：5
《新材料产业》2018年第12期43-47,共5页李冰 马洁 刁翠梅 孙嘉 李海波 
一、背景光刻胶是制造集成电路的关键材料,其性能直接影响到集成电路芯片上的集成度、运行速度及功耗等性能。在摩尔定律的推动下,集成电路芯片集成度不断提高,光刻胶技术也不断发展,经历了宽谱光刻胶、G/I线光刻胶、248nm光刻胶、193n...
关键词：下一代光刻技术 材料发展 光刻胶 图形化 集成电路芯片 芯片集成度 运行速度 摩尔定律 
下一代光刻技术
《科技与企业》2015年第13期210-210,共1页仲冠丞 
本文从多方面对下一代光刻技术做了介绍和分析,重点描述了纳米压印光刻技术、极紫外光刻技术、无掩模光刻技术、原子光刻技术、电子束光刻技术等的原理、现状和优缺点,并展望了未来数十年的主流光刻技术。
关键词：下一代光刻技术 纳米压印光刻技术 极紫外光刻技术 无掩模光刻技术 原子光刻技术 电子束光刻技术 
光刻与微纳制造技术的研究现状及展望被引量：12
《微纳电子技术》2012年第9期613-618,636,共7页周辉 杨海峰 
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JX111742);国家自然科学基金资助项目(51105360);江苏省自然科学基金资助项目(BK2011218);江苏省光子制造科学与技术重点实验室开放基金资助项目(GZ200905)
首先介绍了微纳制造的关键工艺技术——光刻技术。回顾了光刻技术的发展历程,介绍了各阶段主流光刻技术的基本原理和特点。阐述了国内外对光刻技术的研究现状,并讨论了光刻与微纳制造技术面临的挑战及其需要解决的关键性技术问题。然后...
关键词：光学技术 微光刻技术 微纳米加工技术 下一代光刻技术 分辨率增强技术 
微光刻与微/纳米加工技术(续)被引量：6
《微纳电子技术》2011年第2期69-73,共5页陈宝钦 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB0N0604);国家自然科学基金项目(61078060);基础科研项目(B1020090022)
2下一代光刻技术 虽然光学光刻技术为微电子技术突飞猛进的发展立下了汗马功劳,创造了一次又一次的人间奇迹,然而目前集成电路特征尺寸也越来越接近物理极限。为开发研究新一代的光刻技术,近年来世界各大国和各国著名的大公司联合开展...
关键词：纳米加工技术 下一代光刻技术 微光刻 研究与开发 光学光刻技术 微电子技术 物理极限 特征尺寸 
微光刻与微/纳米加工技术被引量：14
《微纳电子技术》2011年第1期1-5,共5页陈宝钦 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB0N0604);国家自然科学基金项目(61078060);基础科研项目(B1020090022)
介绍了微电子技术的关键工艺技术——微光刻与微/纳米加工技术,回顾了中国制版光刻与微/纳米加工技术的发展历程与现状,讨论了微光刻与微/纳米加工技术面临的挑战与需要解决的关键技术问题,并介绍了光学光刻分辨率增强技术、下一代光刻...
关键词：微光刻技术 微纳米加工技术 分辨率增强技术 下一代光刻技术 可制造性设计 
下一代光刻技术的EUV光源收集系统的发展被引量：1
《激光与红外》2010年第11期1163-1167,共5页左保军 祝东远 张树青 李润顺 
当前半导体器件加工水平正在向22 nm方向发展,而最有希望实现这一尺寸的光刻技术即为EUV光刻技术。EUV光源所发出的13.5 nm辐射因为波长极短,物质对其吸收十分强烈,所以使采用透射式光学系统对辐射进行收集的可能几乎为零。如何高效地收...
关键词：光刻 EUV 垂直入射式 掠入射式 收集效率 内嵌式 WolterⅠ型 
六维微位移、力全反馈纳米压印装备的关键技术与应用研究
《中国科技成果》2010年第5期12-13,共2页
国家863计划课题（2006AA04Z334）.
纳米压印光刻（Nano Imprint Lithography，NIL）是面向45nm以下半导体制造工艺下一代光刻技术的主流之一。基于紫外纳米压印光刻是一种在常温和常压下使用的光刻技术，是非常有希望成为未来光刻技术的主流工业技术。多层纳米压印套印...
关键词：下一代光刻技术 纳米压印光刻 应用 装备 半导体制造工艺 微位移 全反馈 六维 
2008纳米压印光刻国际学术会议
《国际学术动态》2009年第6期53-54,共2页兰红波 
2008年9月26～30日，我参加Obducat AB组织的纳米压印光刻学术研讨会。纳米压印光刻（Nanoimprint Lithography，NIL）是一种全新的纳米图形复制方法，目前压印的最小特征尺寸可以达到5nm，NIL较之现行的投影光刻和其他下一代光刻技术...
关键词：纳米压印光刻 国际学术会议 下一代光刻技术 投影光刻 学术研讨会 图形复制 特征尺寸 高分辨率 
Sematech召开论坛讨论下一代光刻技术 设备成本将达4000万美元
《电子工业专用设备》2008年第5期49-49,共1页
据EETimes报道：Sematech正计划于2008年5月12～14日召开为期3天的光刻论坛，讨论32nm向22nm转变时该选择何种技术。Sematech表示，这次会议旨在汇集业界的观点，并希望能在下一代光刻技术方面达成一致。该会议将对外开放，预定在Lake G...
关键词：下一代光刻技术 设备成本 论坛 美元 对外开放 NEW 会议 
道康宁公司电子部推出XR-1541电子束光刻剂聚集下一代光刻技术
《微纳电子技术》2008年第8期497-497,共1页
关键词：下一代光刻技术 美国道康宁公司 电子束光刻 聚集 技术开发 光刻工艺 供应商 DOW 
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