祝东远

作品数：1被引量：1H指数：1
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下一代光刻技术的EUV光源收集系统的发展被引量：1
《激光与红外》2010年第11期1163-1167,共5页左保军 祝东远 张树青 李润顺 
当前半导体器件加工水平正在向22 nm方向发展,而最有希望实现这一尺寸的光刻技术即为EUV光刻技术。EUV光源所发出的13.5 nm辐射因为波长极短,物质对其吸收十分强烈,所以使采用透射式光学系统对辐射进行收集的可能几乎为零。如何高效地收...
关键词：光刻 EUV 垂直入射式 掠入射式 收集效率 内嵌式 WolterⅠ型 
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