微光刻与微/纳米加工技术  

Micro-Lithography and Micro/Nano-Fabrication Technologies

作　　者：陈宝钦[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室,北京100029

出　　处：《微纳电子技术》2011年第1期1-5,共5页Micronanoelectronic Technology

基　　金：国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB0N0604);国家自然科学基金项目(61078060);基础科研项目(B1020090022)

摘　　要：介绍了微电子技术的关键工艺技术——微光刻与微/纳米加工技术,回顾了中国制版光刻与微/纳米加工技术的发展历程与现状,讨论了微光刻与微/纳米加工技术面临的挑战与需要解决的关键技术问题,并介绍了光学光刻分辨率增强技术、下一代光刻技术、可制造性设计技术、纳米结构图形加工技术与纳米CMOS器件研究等问题。近年来,中国科学院微电子研究所通过光学光刻系统的分辨率增强技术(RET),实现亚波长纳米结构图形的制造,并通过应用光学光刻系统和电子束光刻系统之间的匹配与混合光刻技术及纳米结构图形加工技术成功研制了20～50nm CMOS器件和100nm HEMT器件。The key technologies of the microelectronics process, micro-lithography and micro/ nano fabrication are introduced. The development history and status of the micro-lihograpy and micro/nano-fabrication in China are reviewed. The challenges and key technologies in the microlithography are discussed. The problems of the optical resolution enhancement technology （RET）, next generation lithography （NGL）, design-for-manufacturing （DFM） technologies, nano-structure and nano-CMOS fabrication process techniques and so on are introduced. The IMECAS has realized nano-structures of sub-wavelength by RET in the lithography, and has achieved 20 - 50 nm gate CMOS transistors and 100 nm gate HEMTs successfully by the application of the mix ＆ match technique between optical and electron beam lithographies and the nanofabrication process.

关 键 词：微光刻技术 微纳米加工技术 分辨率增强技术 下一代光刻技术 可制造性设计 

分 类 号：TN305.6[电子电信—物理电子学] TN305.7