光刻胶材料发展状况及下一代光刻技术对图形化材料的挑战  

作　　者：李冰[1] 马洁 刁翠梅 孙嘉[1] 李海波 

机构地区：[1]北京科华微电子材料有限公司

出　　处：《新材料产业》2018年第12期43-47,共5页Advanced Materials Industry

摘　　要：一、背景光刻胶是制造集成电路的关键材料,其性能直接影响到集成电路芯片上的集成度、运行速度及功耗等性能。在摩尔定律的推动下,集成电路芯片集成度不断提高,光刻胶技术也不断发展,经历了宽谱光刻胶、G/I线光刻胶、248nm光刻胶、193nm光刻胶等一系列技术平台,从技术上经历了环化橡胶体系、酚醛树脂-重氮奈醌体系及化学放大体系。

关 键 词：下一代光刻技术 材料发展 光刻胶 图形化 集成电路芯片 芯片集成度 运行速度 摩尔定律 

分 类 号：TN40[电子电信—微电子学与固体电子学]