90nm与65nm光刻工艺各有千秋  

作　　者：翁寿松 

出　　处：《半导体行业》2006年第1期38-40,共3页

摘　　要：2003年下半年起英特尔等世界顶级IC公司陆续量产90nm芯片，比国际半导体技术蓝图ITRS2001／2003要求2004年实现90nm工艺的规划提前了一年。2005年底、2006年初世界半导体市场“霸主”英特尔量产65nm芯片，比ITRS2003要求2007年实现65nm工艺的规划整整提前了一年，两者如出一辙。光刻工艺是量产90／65nm芯片最重要、最关键的工艺之一，也是使用频率最高的工艺，如90／65nm铜互连需8层金属布线，那至少要进行15次光刻，因为金属互连层间还需绝缘层隔离。目前光刻工艺能量产的只有光学光刻技术，它是通过不断缩短曝光波长（λ）、增大数值孔径（NA）和降低工艺因子（k1）来提高其水平，从而达到不断缩小芯片的特征尺寸的目的，如从90nm——65nm。

关 键 词：光刻工艺 90nm工艺 65nm工艺 光学光刻技术 半导体技术 半导体市场 大数值孔径 金属布线 金属互连 特征尺寸 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学] TN405