光学邻近效应校正

作品数：15被引量：33H指数：2
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极紫外光刻中的边缘放置误差控制
《中国激光》2024年第7期64-84,共21页曹晶 杨文河 刘泽旭 陈韫懿 魏鑫 林楠 
极紫外(EUV)光刻是7 nm及以下技术节点芯片大规模量产的关键技术。随着技术节点的减小、工艺复杂性的增加,芯片的良率面临着巨大挑战。边缘放置误差(EPE)是量化多重曝光技术过程中制造图案保真度的最重要指标。EPE控制已成为多重曝光和...
关键词：测量 极紫外光刻光源 套刻 光学邻近效应校正 对准 
芯片制造语境下的计算光刻技术被引量：2
《激光与光电子学进展》2022年第9期1-14,共14页施伟杰 俞宗强 蒋俊海 车永强 李思坤 
计算光刻技术是提高分辨率的重要手段,是连接芯片设计与制造的桥梁。首先,介绍了计算光刻技术的起源即第1代光学邻近效应校正(OPC)技术,基于规则的OPC;随后,以14 nm芯片制造过程为例介绍了现代芯片制造采用的各种计算光刻技术,包括基于...
关键词：计算光刻 光学邻近效应校正 全景优化 反向光刻 
光刻技术《激光与光电子学进展》
《激光与光电子学进展》2021年第21期F0002-F0002,共1页
光刻机是极大规模集成电路制造的核心装备,其分辨率决定了集成电路芯片的集成度。为了追求更高的分辨率,光刻机曝光波长已从436 nm可见光波段减小到193 nm深紫外波段,再到当前最短的13.5 nm极紫外波段。投影物镜的数值孔径则从初期的0.2...
关键词：集成电路芯片 光刻机 光刻技术 投影物镜 光学邻近效应校正 数值孔径 紫外波段 掩模 
一种离线光学邻近效应匹配方法的研究和仿真被引量：1
《微纳电子技术》2015年第3期197-203,共7页宋之洋 郭沫然 苏晓菁 刘艳松 粟雅娟 韦亚一 
国家科技重大专项资助项目(2013ZX02303)
目前小技术节点的光学邻近效应校正(OPC)过分依赖光刻机与光刻工艺的属性,量产时难以在不同型号光刻机间转移,而国内芯片制造厂光刻机种类繁杂,不可避免地需要解决工艺转移的问题。针对上述问题,以不同光刻机间的光学邻近效应匹配为研...
关键词：光刻 计算光刻 光学邻近效应校正(OPC) 光学邻近效应匹配 工艺窗口控制 
掩模曝光剂量的精细控制工艺设计
《中国集成电路》2007年第11期88-91,共4页胡广荣 李文石 
本文从光学邻近效应的机理出发,基于区域划分掩模特征线条,实施曝光剂量控制,从而达到光学邻近效应的精细校正。通过模拟测试图形得到改进后的掩模图形畸变率,与传统曝光剂量校正法相比,减少了约4%。
关键词：光学邻近效应校正 特征线条区域划分 图形畸变率 
光刻、OPC与DFM被引量：5
《电子工业专用设备》2006年第4期18-22,共5页翁寿松 
讨论了90/65nm芯片设计采用可制造性设计的必要性和优势。介绍了以RET/OPC为核心的可制造性设计。
关键词：芯片设计 光刻 光学邻近效应校正 可制造性设计 分辨率增强技术 
光学光刻技术向纳米制造挺进
《电子工业专用设备》2004年第3期22-26,共5页葛劢冲 刘玄博 
概述了光学光刻技术向纳米制造挺进过程中光源、光学系统、照明技术、掩模设计、抗蚀剂、光学邻近效应校正、工作台等方面的进展以及光学光刻技术在大批量生产应用中的优势,并介绍了国外开发极紫外光刻技术的技术指标,预测了光学光刻技...
关键词：光学光刻 光学邻近效应校正 下一代光刻 纳米制造 优势与前景 
迎接亚100nm的挑战
《电子工业专用设备》2003年第5期1-3,83,共4页本刊编辑部 
关键词：光刻技术 光学邻近效应校正 半导体 分辨力增强技 掩模制造 晶体管 介电率 离子注入 
光学光刻的波前工程被引量：3
《电子工业专用设备》2003年第5期50-52,共3页翁寿松 
介绍了国内研究光学光刻波前工程的一些成果,如新型移相掩模、投影光刻的邻近效应和掩模加工的邻近效应的组合模拟等。
关键词：光学光刻 波前工程 移相掩模 光学邻近效应校正 
微细加工技术与设备
《中国光学》2001年第1期96-96,共1页
TN305.7 2001010649用灰阶编码掩模实现邻近效应精细校正的研究=Finecorrection of optical proximity effect by usinggray-tone coding mask[刊,中]/杜惊雷,粟敬钦,张怡霄,郭永康(四川大学物理系.四川,成都(610064)),罗克俭,崔铮(内...
关键词：光学邻近效应校正 灰阶编码掩模 灰阶掩模 大学物理 校正机理 新方法 衰减相移掩模 四川 二元掩模 教育学院 
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