光刻技术《激光与光电子学进展》  

出　　处：《激光与光电子学进展》2021年第21期F0002-F0002,共1页Laser & Optoelectronics Progress

摘　　要：光刻机是极大规模集成电路制造的核心装备,其分辨率决定了集成电路芯片的集成度。为了追求更高的分辨率,光刻机曝光波长已从436 nm可见光波段减小到193 nm深紫外波段,再到当前最短的13.5 nm极紫外波段。投影物镜的数值孔径则从初期的0.28增大到干式光刻机的0.93,再到浸液式光刻机的1.35。通过组合使用光学邻近效应校正、光源掩模联合优化、多重图形等分辨率增强技术.

关 键 词：集成电路芯片 光刻机 光刻技术 投影物镜 光学邻近效应校正 数值孔径 紫外波段 掩模 

分 类 号：TN2-5[电子电信—物理电子学] G23[文化科学]