套刻

作品数：66被引量：105H指数：5
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基于架桥套刻改进声表面波芯片探测工艺研究
《应用声学》2024年第6期1297-1301,共5页王君 孟腾飞 于海洋 王永安 倪烨 袁燕 张倩 
为避免芯片尺寸封装工艺中金属凸点过多,实现声表面波芯片的片上测试,提高良品率,该文研究利用架桥套刻的工艺制备声表面波芯片。在叉指图层上制备绝缘桥墩,在绝缘桥墩上制备连通内部电极和外部电极的导电桥,通过绝缘桥墩将导电桥与汇...
关键词：声表面波芯片 绝缘桥墩 架桥套刻 芯片尺寸封装 
套刻精度标准样片的制备工艺及其在光刻工艺中的应用探索
《中文科技期刊数据库(文摘版)工程技术》2024年第8期028-031,共4页赵昭 
在微电子器件的制造中,光刻工艺对套刻精度有着严格的要求。本文以此为背景,着重探讨了套刻精度标准样片的制备工艺以及其在光刻工艺中的应用。确定了制作套刻标准样片的最佳工艺条件,并成功制备出高精度套刻标准样片。在光刻中的实际...
关键词：套刻精度 标准样片 制备工艺 光刻 
基于不完全匹配的掩膜版进行芯片套刻的校准方案
《光电子技术》2024年第2期116-120,共5页张文靖 张恺馨 杨天溪 孙捷 严群 林畅 蒋冰鑫 李洋 兰金华 陈辉 
国家重点研发计划(2021YFB3600104);福建省科技厅项目(2021HZ0114,2021J01583);中国福建光电信息科学与技术创新实验室项目(2021ZZ122)。
提出一种校准方案,在套刻曝光一般步骤的基础上进行适当调整,用不完全匹配的掩膜版同样能够实现准确的套刻曝光。研究为提高芯片制备效率、保证对准精度提供了新思路。
关键词：光刻工艺 套刻曝光 校准 集成电路 
极紫外光刻中的边缘放置误差控制
《中国激光》2024年第7期64-84,共21页曹晶 杨文河 刘泽旭 陈韫懿 魏鑫 林楠 
极紫外(EUV)光刻是7 nm及以下技术节点芯片大规模量产的关键技术。随着技术节点的减小、工艺复杂性的增加,芯片的良率面临着巨大挑战。边缘放置误差(EPE)是量化多重曝光技术过程中制造图案保真度的最重要指标。EPE控制已成为多重曝光和...
关键词：测量 极紫外光刻光源 套刻 光学邻近效应校正 对准 
高阶参数的实时反馈技术对套刻误差的优化
《集成电路应用》2024年第4期372-374,共3页余洋 董佳 袁伟 
阐述套刻误差补偿的常用分析模型,介绍挂载高阶套刻子处方(EEXY)是目前高阶参数补偿在光刻机端实现的主要形式。对比基于ASML LIS的EEXY实时反馈(LIS Run-to-Run)与传统基于APC的线性10参数实时反馈,以及目前先进节点普遍采用的10par Ru...
关键词：光刻机 套刻 高阶参数 线性参数 
借助光刻成像仿真软件的μDBO穿线套刻标记
《清华大学学报（自然科学版）》2023年第12期2057-2075,共19页陈天元 周钰颖 高安 
在光刻机的对准、曝光和量测等过程中,存在量程范围小,测量精度要求极高的套刻标记。这些套刻标记在实现特定功能的同时,会受到多种误差的影响,比如标记线宽与设计差异、标记线条边缘粗糙度、标记边缘效应等。该文旨在解决光刻套刻量测...
关键词：计算光刻 光刻成像仿真软件 微型衍射套刻标记 穿线套刻 
光刻对准关键技术的发展与挑战被引量：2
《光学学报》2023年第19期1-23,共23页邱俊 杨光华 李璟 卢增雄 丁敏侠 
随着半导体产业的高速发展,集成电路制造中光刻工艺特征尺寸极限化微缩,套刻精度的要求也愈来愈极端严苛。本文基于影响套刻精度的核心技术,即对准技术,对该技术中精密测量传感系统的设计和微纳测量对象对准标记的设计两个方面进行了归...
关键词：集成光学 对准 标记 套刻 光刻 集成电路 
高性能PIN-硅探测器的研制及其在高能放射性核束实验中的应用测试被引量：2
《物理学报》2023年第12期74-82,共9页陈翠红 李占奎 王秀华 李荣华 方芳 王柱生 李海霞 
国家自然科学基金(批准号:11775283,12005267,12275330)资助的课题。
鉴于国内核物理实验对高性能硅探测器有大量需求,而国外对中国进行技术封锁,满足实验需求的高性能探测器不易获得.中国科学院近代物理研究所在原有制备工艺基础上首次采用套刻技术,有效减少了光刻及腐蚀过程造成的Si O2沾污,大幅提高了...
关键词：硅探测器 套刻技术 漏电流 电荷数分辨 
光刻套刻误差测量技术被引量：4
《激光与光电子学进展》2022年第9期381-392,共12页李一鸣 杨霖 王晓浩 单硕楠 邓富元 贺志学 刘政通 李星辉 
广东省基础与应用基础研究基金(2021B1515120007);国家自然科学基金(61905129);深圳市科技计划基础研究稳定支持(WDZC20200820200655001);鹏城实验室重大攻关项目。
集成电路制造中光刻工艺特征尺寸不断减小,制造商对套刻误差指标的要求逐步提升,对具有亚纳米精度的套刻误差测量技术与系统有极为迫切的需求。针对该需求,对比介绍了基于衍射原理的套刻测量(DBO)和基于图像的套刻测量(IBO)技术原理与特...
关键词：光刻工艺 集成电路 基于衍射的套刻误差测量 基于图像的套刻误差测量 
PDMS微流控芯片光刻加工的套刻对准方法被引量：1
《实验室研究与探索》2021年第12期33-36,55,共5页赵幸福 冯泽宇 陈荣进 袁佳琪 赵晓晓 
国家自然科学基金面上项目(31770399);南通市科技计划项目(JC2018089);南通大学人才引进项目(03081068)。
多层通道微流控芯片加工中套刻光刻的对准操作难度较大,结合使用两种对准方法并分步进行实验操作可以降低难度:使用圆套十字架对准标记的对准方法。圆便于识别,可用于粗对准,十字架线条用以精对准,充分发挥圆套十字架标记结构中“面”...
关键词：聚二甲基硅氧烷微流控芯片 套刻 光刻对准 对准标记 掩膜 
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