光学光刻技术向纳米制造挺进  

Photolithography Pushing Forward to Nano-Fabrication

作　　者：葛劢冲[1] 刘玄博[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京东燕郊101601

出　　处：《电子工业专用设备》2004年第3期22-26,共5页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘　　要：概述了光学光刻技术向纳米制造挺进过程中光源、光学系统、照明技术、掩模设计、抗蚀剂、光学邻近效应校正、工作台等方面的进展以及光学光刻技术在大批量生产应用中的优势,并介绍了国外开发极紫外光刻技术的技术指标,预测了光学光刻技术的前景。Summarizing advances in light source,optics,illumination technology,mask design,Optical Proximity Correction(OPC)and stage during photolithography pushing forward to nano-fabrication,and describing photolithography advantages in mass production applications,introducing requirements for Next Generation Lithography(NGL),to predict prospects of photolithography.

关 键 词：光学光刻 光学邻近效应校正 下一代光刻 纳米制造 优势与前景 

分 类 号：TN350.7[电子电信—物理电子学]