衰减相移掩模

作品数：8被引量：4H指数：1
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用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模技术被引量：1
《光电工程》2004年第1期1-4,39,共5页冯伯儒 张锦 宗德蓉 刘娟 陈宝钦 刘明 
国家自然科学基金资助项目 ( 60276043);中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室基金资助课题
用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模(PSM)技术主要有无铬相移掩模(CPM),交替相移掩模(APSM)、衰减相移掩模(AttPSM)和混合相移掩模技术。对这些掩模的基本原理、制作方法及性能比较进行了分析研究。研究表明,无铬相位光刻(CPL)PS...
关键词：激光光刻技术 相移掩模 准分子光刻 无铬相移掩模 交替相移掩模 衰减相移掩模 混合相移掩模 
用光致抗蚀剂膜层制作衰减相移掩模
《微细加工技术》2001年第2期6-8,34,共4页侯德胜 冯伯儒 孙方 张锦 
中国科学院重点项目!(AK970 4 );微细加工光学技术国家重点实验室基金资助项目!(KFS990 2 )
提出一种用光致抗蚀剂膜层制作单层结构衰减相移掩模的新方法 ,介绍这种方法的原理和制作工艺 ,并给出这种方法制作的衰减相移掩模用于准分子激光光刻实验 ,得到显著提高光刻分辨力的实验结果。
关键词：光致抗蚀剂 衰减相移掩模 分辨力 光刻 
微细加工技术与设备
《中国光学》2001年第1期96-96,共1页
TN305.7 2001010649用灰阶编码掩模实现邻近效应精细校正的研究=Finecorrection of optical proximity effect by usinggray-tone coding mask[刊,中]/杜惊雷,粟敬钦,张怡霄,郭永康(四川大学物理系.四川,成都(610064)),罗克俭,崔铮(内...
关键词：光学邻近效应校正 灰阶编码掩模 灰阶掩模 大学物理 校正机理 新方法 衰减相移掩模 四川 二元掩模 教育学院 
微细加工技术与设备
《中国光学》2000年第3期100-100,共1页
TN30.5.7 2000032167准分子激光刻蚀技术在微机械中的应用研究=Applicationof the excimer laser etching technologyin micromachine[刊,中]/梁静秋,姚劲松(中科院长春光机所.吉林,长春(130022))//光学精密工程.—1999,7(5).—63-66准...
关键词：准分子激光刻蚀 微机械构件 精密工程 刻蚀技术 衰减相移掩模 中科院 自行研制 应用研究 聚合物结构 精度高 
用于KrF准分子激光光刻的衰减相移掩模
《光电工程》2000年第5期27-30,共4页孙方 侯德胜 冯伯儒 张锦 
中国科学院重点项目!(AK970 4);中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室基金资助项目!(KF S990 2 )
讨论了相移掩模提高光刻分辨力的基本原理 ,提出了一种抗蚀剂相移器制作衰减相移掩模的新方法 ,利用自行设计、建立的 Kr F准分子激光投影光刻实验曝光系统进行了实验研究 ,给出了实验结果 ,并与传统光刻方法作了比较。
关键词：准分子光刻 相移掩模 图形分辨力 激光光刻 
一种简单的衰减相移掩模
《激光杂志》2000年第3期64-64,66,共2页张锦 冯伯儒 侯德胜 周崇喜 姚汉民 郭永康 陈芬 孙方 苏平 
中科院重大项目和中科院光电所所长基金资助
:本文介绍了一种与传统Cr掩模制作工艺相兼容的单层衰减相移掩模的结构、原理和制作方法 ,提供了部分实验结果。
关键词：光刻 衰减相移掩模 相移器 单层材料 
衰减相移掩模光刻技术研究被引量：2
《光电工程》1999年第5期4-8,12,共6页冯伯儒 张锦 侯德胜 周崇喜 陈芬 
国家自然科学基金!(69776028);中国科学院重大项目基金
论述了衰减相移掩模光刻技术的原理和曝光实验研究，给出了光刻曝光实验部分结果。
关键词：光刻相移掩模 衰减相移掩模 
衰减相移掩模及其编码制作方法研究被引量：1
《光学学报》1999年第8期1110-1113,共4页周崇喜 冯伯儒 侯德胜 张锦 
中国科学院"九.五"应用研究与发展重大项目
在霍普金斯（ Ｈｏｐｋｉｎｓ）理论的基础上， 对方孔的传统透射掩模、衰减相移掩模以及加入光学邻近效应校正的衰减相移掩模在硅片表面光强分布的计算表明， 衰减相移掩模有提高光刻分辨率的显著功能。提出一种制作衰减相移掩模的编...
关键词：衰减相移掩模 光学邻近效应 校正 编码 光刻 
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