用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模技术  

Phase-shifting mask for 100nm node ArF excimer laser lithography

作　　者：冯伯儒[1] 张锦[1] 宗德蓉[1] 刘娟[1] 陈宝钦[2] 刘明[2] 

机构地区：[1]中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,四川成都610209 [2]中国科学院微电子中心,北京100029

出　　处：《光电工程》2004年第1期1-4,39,共5页Opto-Electronic Engineering

基　　金：国家自然科学基金资助项目 ( 60276043);中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室基金资助课题

摘　　要：用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模(PSM)技术主要有无铬相移掩模(CPM),交替相移掩模(APSM)、衰减相移掩模(AttPSM)和混合相移掩模技术。对这些掩模的基本原理、制作方法及性能比较进行了分析研究。研究表明,无铬相位光刻(CPL)PSM和高透AttPSM 相结合构成的混合掩模最适合用于193nmArF光刻,以产生100nm节点抗蚀剂图形。Phase-Shifting Mask (PSM) techniques used in 100nm node ArF excimer laser lithography primarily are chromeless PSM, alternating PSM, attenuated PSM and hybrid PSM. The basic principles, fabrication methods and performance comparison for these masks are analyzed and studied. The research shows that the hybrid mask consisting of chromeless PSM and attenuated PSM with high transmittance is most suitable for creating 100nm node resist patterns in 193nm ArF lithography.

关 键 词：激光光刻技术 相移掩模 准分子光刻 无铬相移掩模 交替相移掩模 衰减相移掩模 混合相移掩模 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]