相移掩模

作品数：50被引量：53H指数：4
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集成电路掩模分辨率增强技术被引量：1
《电子与封装》2020年第11期64-67,共4页华卫群 周家万 尤春 
随着大规模集成电路技术的飞速发展,掩模分辨率增强技术变得越来越重要。介绍了掩模分辨率增强技术中的相移掩模技术、光学邻近效应修正技术和光源掩模协同优化技术,重点介绍了3种技术的作用和具体做法。
关键词：掩模 分辨率增强技术 相移掩模 光学邻近效应修正 光源掩模协同优化 
一种提高掩模条宽(CD)性能方法的研究被引量：2
《电子与封装》2018年第9期42-44,48,共4页刘维维 尤春 季书凤 胡超 
提出了一种提高相移掩模(PSM)条宽偏差(CD MTT,mean to target)精度的方法。在掩模制备过程中,条宽偏差的影响因素很多,基板材质、图形以及工艺过程均会对CD MTT产生影响。研究中提出了减小掩模工艺过程中CD MTT的方法,通过对相移层蚀...
关键词：相移掩模 条宽偏差 条宽偏差控制 干法蚀刻 
相移掩模保护膜残留胶清洗方式研究被引量：1
《电子工业专用设备》2012年第7期26-28,共3页尤春 严剑荫 陈卓 
相移掩模(Phase Shift Mask)在实际使用过程中,往往会因为保护膜沾污、损坏或者因为掩模结晶(Haze)等问题需要返回掩模工厂进行重新贴膜。重新贴膜时需要先去除保护膜并清洗。传统的清洗方式是采用硫酸+双氧水(SPM)来进行清洗。不过对...
关键词：掩模保护膜 残胶 结晶 硫酸+双氧水 
相移掩模清洗结晶控制被引量：1
《电子工业专用设备》2012年第5期41-42,47,共3页张海平 尤春 周家万 陈卓 
在高端集成电路制造方面,普通二元掩模已经不能满足晶圆使用要求。目前,高端(线宽0.18μm以下)集成电路生产主要采用相移掩模。相移掩模(Phase Shift Mask)制作过程中,掩模表面结晶(Haze)问题较难控制。为了控制和解决相移掩模表面结晶...
关键词：集成电路 相移掩模 结晶 工艺方法 
先进相移掩模(PSM)工艺技术被引量：4
《电子与封装》2010年第9期41-45,共5页彭力 陈友篷 尤春 周家万 
先进相移掩模(PSM)制造是极大规模集成电路生产中的关键工艺之一,当设计尺寸(CD)为0.18μm时,就必须在掩模关键层采用OPC(光学邻近校正)和PSM(相移技术),一般二元掩模由于图形边缘散射会降低整体的对比度,无法得到所需要的图形。通过相...
关键词：相移掩模 电子束曝光 相位角分析 缺陷检测 
45nm分辨率增强技术优化
《功能材料与器件学报》2008年第2期362-366,共5页高松波 李艳秋 
国家自然基金(10674134);教育部长江学者和创新研究团队计划(PCSIRT);国家973计划项目(2003CB716204)
针对45nm节点的需求,系统分析和研究了该节点不同周期图形的成像规律,并采用了不同的分辨率增强技术进行对比研究,从中分析出最适合45nm不同周期图形的光刻方案。采用了传统的离轴照明技术及新照明方式进行对比,并结合交替式相移掩模、...
关键词：分辨率增强技术 离轴照明 相移掩模 偏振 
微细加工技术与设备
《中国光学》2008年第2期96-97,共2页
关键词：能动磨盘 分辨力增强技术 相位掩模 技术与设备 光电工程 投影光刻机 微细加工 反射峰 深度光刻 相移掩模 
扩展傅里叶衍射理论在相移掩模中的应用
《光电工程》2008年第1期40-44,共5页刘佳 张晓萍 
教育部新世纪优秀人才支持计划(NECT-04-0981)
针对现代光刻中,超大数值孔径的情况下,通过简单的傅里叶衍射理论模拟掩模的传递函数的方法不够精确,必须得考虑倾斜照明带来的阴影效应。因此本文针对交替式相移掩模,提出了一种考虑阴影效应的近似模型。重新定义了阴影比率的公式。该...
关键词：超大数值孔径 相移掩模 离轴照明 阴影效应 傅里叶衍射理论 
交替型暗域相移掩模的并行算法
《微电子学》2007年第5期667-670,共4页闫大顺 周强 蔡懿慈 洪先龙 
国家自然科学基金资助项目(9060700190407005)
设计并实现了一种暗域相移掩模(PSM)问题的并行算法。首先根据"分而治之"的原则,将输入版图划分为若干尺寸较小的、易于解决的子版图;然后分配每个子版图给不同的进程,各个进程同时独立地消除子版图的相位冲突;最后将所有的子版图重新组...
关键词：相移掩模 交替型相移掩模 并行算法 暗域 
相移掩模和离轴照明在ArF浸没式光刻中对工艺窗口的影响
《纳米技术与精密工程》2005年第1期40-45,共6页黄国胜 李艳秋 
supported by the program of Century Program(Hundreds-Talent Program 2001)of China;863 High Technology Project of IC Equipment.
研究了交替型相移掩模及离轴照明对65nm分辨率ArF浸没式光刻的影响.在3/4环形照明和3/4四极照明方式下,分别选用传统掩模和交替型相移掩模,研究65nm线宽的密集线条、半密集线条、孤立线条在较大的曝光系统参数范围内,对光刻工艺窗口的...
关键词：相移掩模 光刻工艺 工艺窗口 密集 焦深 线宽 照明方式 曝光系统 分辨率 线条 
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