检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:华卫群 周家万 尤春 HUA Weiqun;ZHOU Jiawan;YOU Chun(Wuxi Zhongwei Mask Electronic Co.,Ltd.,Wuxi 214001,China)
机构地区:[1]无锡中微掩模电子有限公司,江苏无锡214001
出 处:《电子与封装》2020年第11期64-67,共4页Electronics & Packaging
摘 要:随着大规模集成电路技术的飞速发展,掩模分辨率增强技术变得越来越重要。介绍了掩模分辨率增强技术中的相移掩模技术、光学邻近效应修正技术和光源掩模协同优化技术,重点介绍了3种技术的作用和具体做法。With the rapid development of LSI technology,resolution enhancement technology becomes more and more important.In this paper,the phase-shifting mask technology,optical proximity correction technology and source mask optimization technology in mask resolution enhancement technology are introduced.
关 键 词:掩模 分辨率增强技术 相移掩模 光学邻近效应修正 光源掩模协同优化
分 类 号:TN305.7[电子电信—物理电子学]
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