侯德胜

作品数：28被引量：94H指数：5
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供职机构：中国科学院光电技术研究所更多>>
发文主题：相移掩模光刻激光直写光刻掩模衰减相移掩模更多>>
发文领域：电子电信机械工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
发文期刊：《光子学报》《激光杂志》《激光集锦》《中国机械工程》更多>>
所获基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金中国科学院重点实验室基金更多>>
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采用微光刻技术制作缩微文字和加密文字
《中国防伪》2005年第8期15-17,共3页侯德胜 
关键词：微光刻技术 技术制作 文字 微电子技术 加密 缩微 防伪措施 科学技术 加工技术 
超磁致伸缩薄膜微机械变形镜驱动器的研究
《中国机械工程》2005年第z1期151-155,共5页赵泽宇 侯德胜 谌贵辉 张万里 
分析了微机械变形镜MEMS驱动器的种类及其特点,并在磁致伸缩薄膜具有低磁场下的大形变、低功耗、高响应速度等特性基础上,提出了超磁致伸缩薄膜MEMS驱动器的原理.由于TbFe磁致伸缩薄膜在外加磁场作用下,微桥将在水平方向上产生伸长变形...
关键词：超磁致伸缩薄膜 微机电系统 微机械变形镜 驱动器 微桥 
准分子激光刻蚀聚碳酸酯材料研究被引量：11
《光电工程》2004年第2期4-7,共4页赵泽宇 侯德胜 董小春 杜春雷 
准分子激光刻蚀聚合物一般认为是由于聚合物材料吸收光子能量而升温,同时分子链上的 化学键也会因吸收光子能量而断裂。本文在讨论分析了准分子激光烧蚀聚合物机理的基础上,通过对不同能量密度情况下得到的不同烧蚀深度的实验结果进行...
关键词：准分子光刻 聚碳酸酯 激光烧蚀 
计算机产生全息图对补偿器检测的技术研究被引量：5
《光子学报》2003年第5期592-594,共3页王春霞 伍凡 侯德胜 吴时彬 杜春雷 
用一种计算全息板代替补偿器零检验光路中理想的大型非球面 ,实现对补偿器的定量检验 用于检测补偿器旋转对称的二元反射式全息板根据非球面方程设计 ,并确定其光程差 ,再由激光直写 (精度可达 0 6μm)来制作完成 ,合成相当于理想非...
关键词：全息图 计算机 补偿器 零检验光路 检测技术 计算全息板 光程差 非球面 
激光直写系统在ASIC器件制作中的应用
《世界产品与技术》2002年第10期71-72,共2页侯德胜 冯伯儒 等 
激光直写系统是制作光刻掩模和ASIC器件的新型专用设备。微细加工光学技术国家重点实验室引进了男内第一台激光直写系统，利用这台系统，通过高精度激光束在光致抗蚀剂上扫描曝光，能够把设计图形直接转移到掩模版或芯片上，本文介绍激...
关键词：激光直写系统 ASIC器件 光刻掩模 专用集成电路 
用光致抗蚀剂膜层制作衰减相移掩模
《微细加工技术》2001年第2期6-8,34,共4页侯德胜 冯伯儒 孙方 张锦 
中国科学院重点项目!(AK970 4 );微细加工光学技术国家重点实验室基金资助项目!(KFS990 2 )
提出一种用光致抗蚀剂膜层制作单层结构衰减相移掩模的新方法 ,介绍这种方法的原理和制作工艺 ,并给出这种方法制作的衰减相移掩模用于准分子激光光刻实验 ,得到显著提高光刻分辨力的实验结果。
关键词：光致抗蚀剂 衰减相移掩模 分辨力 光刻 
亚分辨图形相移掩模的制作方法
《微细加工技术》2001年第2期14-19,共6页冯伯儒 张锦 陈宝钦 侯德胜 苏平 
国家自然科学基金资助项目! (6 92 76 0 18;6 9776 0 2 8);微细加工光学技术国家重点实验室基金资助项目! (KFS990 1)
介绍亚分辨图形掩模的原理、应用及具有亚分辨图形的相移掩模和传统掩模的制作方法和工艺。
关键词：亚分辨 相移掩膜 图形处理 
用于高分辨大视场微光刻的全息照相技术研究被引量：2
《微细加工技术》2001年第1期1-7,共7页冯伯儒 张锦 侯德胜 陈芬 
国家自然科学基金!资助 (6 9776 0 2 8) ;微细加工光学技术国家重点实验室基金!资助项目(KFS990 1)
介绍一种全息光刻技术的基本原理 ,全息掩模复位精度的影响 ,全息光刻技术的优点及基本应用 ,并对全息光刻系统的设计考虑作了详细介绍 。
关键词：全息微光刻 TIR全息 全息照相技术 高分辨 
相移掩模和光学邻近效应校正光刻技术被引量：15
《光电工程》2001年第1期1-5,共5页冯伯儒 张锦 侯德胜 周崇喜 苏平 
国家自然科学基金项目 !(697760 2 8) ;中国科学院光电技术研究所所长基金;微细加工光学技术国家重点实验室开放基金资助项目
详细地论述了相移掩模提高光刻分辨力和改善焦深的原理。介绍了光学邻近效应校正方法。
关键词：相移掩模 光学邻近效应校正 光刻技术 
用于KrF准分子激光光刻的衰减相移掩模
《光电工程》2000年第5期27-30,共4页孙方 侯德胜 冯伯儒 张锦 
中国科学院重点项目!(AK970 4);中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室基金资助项目!(KF S990 2 )
讨论了相移掩模提高光刻分辨力的基本原理 ,提出了一种抗蚀剂相移器制作衰减相移掩模的新方法 ,利用自行设计、建立的 Kr F准分子激光投影光刻实验曝光系统进行了实验研究 ,给出了实验结果 ,并与传统光刻方法作了比较。
关键词：准分子光刻 相移掩模 图形分辨力 激光光刻 
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