相移掩模和光学邻近效应校正光刻技术  

Optical Microlithography with Phase Shifting Mask and Optical Proximity Effect Correction

作　　者：冯伯儒[1] 张锦[1] 侯德胜[1] 周崇喜[1] 苏平[1] 

机构地区：[1]中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,四川成都610209

出　　处：《光电工程》2001年第1期1-5,共5页Opto-Electronic Engineering

基　　金：国家自然科学基金项目 !(697760 2 8) ;中国科学院光电技术研究所所长基金;微细加工光学技术国家重点实验室开放基金资助项目

摘　　要：详细地论述了相移掩模提高光刻分辨力和改善焦深的原理。介绍了光学邻近效应校正方法。The principle for improving microlithographic resolution and focal depth with phase-shifting mask is described in detail in the paper. Optical proximity effect correction method, the mechanism for improving the quality of microlithographic patterns by PSM and OPC and some design problems of the proximity effect corrected mask are introduced.

关 键 词：相移掩模 光学邻近效应校正 光刻技术 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]