苏平

作品数：4被引量：20H指数：2
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供职机构：中国科学院光电技术研究所更多>>
发文主题：光刻技术相移掩模干涉光刻大屏幕显示器光刻系统更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微细加工技术》《微纳电子技术》《光电工程》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
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无掩模激光干涉光刻技术研究被引量：4
《微纳电子技术》2002年第3期39-42,共4页冯伯儒 张锦 宗德蓉 蒋世磊 苏平 陈宝钦 陈芬 
国家自然科学基金(60076019)资助
介绍了一种不用掩模的光刻技术———激光干涉光刻技术的基本原理,给出了干涉光刻技术的主要特点及一些可能的应用,并对实验系统和初步实验结果进行了分析。研究表明,激光干涉光刻具有大视场和分辨率高和视场宽等优点。
关键词：无掩模激光干涉光刻技术 微光刻技术 干涉光刻 场发射显示器 
亚分辨图形相移掩模的制作方法
《微细加工技术》2001年第2期14-19,共6页冯伯儒 张锦 陈宝钦 侯德胜 苏平 
国家自然科学基金资助项目! (6 92 76 0 18;6 9776 0 2 8);微细加工光学技术国家重点实验室基金资助项目! (KFS990 1)
介绍亚分辨图形掩模的原理、应用及具有亚分辨图形的相移掩模和传统掩模的制作方法和工艺。
关键词：亚分辨 相移掩膜 图形处理 
提高光刻图形质量的双曝光技术被引量：1
《微细加工技术》2001年第2期20-23,共4页苏平 冯伯儒 张锦 
国家自然科学基金! (6 0 0 76 0 19) ;所长基金!(JK9910 );微细加工光学技术国家重点实验室基金!(KFS990 9)
双曝光技术能提高图形对比度和分辨率 ,可改善焦深 ,从而提高光刻图形质量。介绍了双曝光技术原理和几种双曝光方法 ,同时 ,提出采用双曝光技术 ,结合相移掩模和光学邻近效应校正来提高光刻分辨率 ,给出了双曝光光刻方法的实例及计算机...
关键词：光学光刻 双曝光技术 图形质量 
相移掩模和光学邻近效应校正光刻技术被引量：15
《光电工程》2001年第1期1-5,共5页冯伯儒 张锦 侯德胜 周崇喜 苏平 
国家自然科学基金项目 !(697760 2 8) ;中国科学院光电技术研究所所长基金;微细加工光学技术国家重点实验室开放基金资助项目
详细地论述了相移掩模提高光刻分辨力和改善焦深的原理。介绍了光学邻近效应校正方法。
关键词：相移掩模 光学邻近效应校正 光刻技术 
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