无掩模激光干涉光刻技术研究  

Study of interferometric lithography without masks

作　　者：冯伯儒[1] 张锦[1] 宗德蓉[1] 蒋世磊[1] 苏平[1] 陈宝钦[2] 陈芬[3] 

机构地区：[1]中国科学院光电技术研究所 [2]中国科学院微电子中心,北京100029 [3]四川师范学院物理系,四川南充637002

出　　处：《微纳电子技术》2002年第3期39-42,共4页Micronanoelectronic Technology

基　　金：国家自然科学基金(60076019)资助

摘　　要：介绍了一种不用掩模的光刻技术———激光干涉光刻技术的基本原理,给出了干涉光刻技术的主要特点及一些可能的应用,并对实验系统和初步实验结果进行了分析。研究表明,激光干涉光刻具有大视场和分辨率高和视场宽等优点。The principles of laser interferometric lithography,main technology characteristecs and its applications are described.The experiment system and results are analysed also.The re search shows that laser interferometric lithography has high resolution and large field.

关 键 词：无掩模激光干涉光刻技术 微光刻技术 干涉光刻 场发射显示器 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]