光学邻近效应

作品数：34被引量：53H指数：3
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极紫外光刻中的边缘放置误差控制
《中国激光》2024年第7期64-84,共21页曹晶 杨文河 刘泽旭 陈韫懿 魏鑫 林楠 
极紫外(EUV)光刻是7 nm及以下技术节点芯片大规模量产的关键技术。随着技术节点的减小、工艺复杂性的增加,芯片的良率面临着巨大挑战。边缘放置误差(EPE)是量化多重曝光技术过程中制造图案保真度的最重要指标。EPE控制已成为多重曝光和...
关键词：测量 极紫外光刻光源 套刻 光学邻近效应校正 对准 
芯片制造语境下的计算光刻技术被引量：2
《激光与光电子学进展》2022年第9期1-14,共14页施伟杰 俞宗强 蒋俊海 车永强 李思坤 
计算光刻技术是提高分辨率的重要手段,是连接芯片设计与制造的桥梁。首先,介绍了计算光刻技术的起源即第1代光学邻近效应校正(OPC)技术,基于规则的OPC;随后,以14 nm芯片制造过程为例介绍了现代芯片制造采用的各种计算光刻技术,包括基于...
关键词：计算光刻 光学邻近效应校正 全景优化 反向光刻 
光刻技术《激光与光电子学进展》
《激光与光电子学进展》2021年第21期F0002-F0002,共1页
光刻机是极大规模集成电路制造的核心装备,其分辨率决定了集成电路芯片的集成度。为了追求更高的分辨率,光刻机曝光波长已从436 nm可见光波段减小到193 nm深紫外波段,再到当前最短的13.5 nm极紫外波段。投影物镜的数值孔径则从初期的0.2...
关键词：集成电路芯片 光刻机 光刻技术 投影物镜 光学邻近效应校正 数值孔径 紫外波段 掩模 
光学邻近效应修正技术发展综述及思考
《山东工业技术》2018年第10期207-207,共1页柯顺魁 
光学邻近修正技术是纳米级晶圆制造的核心,随着晶圆制造工艺上的逻辑器件技术节点的不断缩小,导致光学邻近修正越来越困难。本文对近年来晶圆制造的光学邻近效应技术的发展进行综述,并对逻辑器件技术节点到20nm以下情况下的先进光刻工...
关键词：光学邻近效应修正(OPC) 先进光刻 OPC经验学习 
厚胶接近式光刻中掩模优化研究（英文）
《强激光与粒子束》2015年第7期203-208,共6页何骏 刘世杰 王斌 郭猛 王岳亮 
Supported by National Natural Science Foundation of China(11104295)
随着光刻胶厚度的不断增大,制作的光刻图形畸变愈发严重,这极大的影响了微结构器件的性能与应用。针对高深宽比柱状微结构在光刻胶厚度方向上畸变的特点,提出了双面曝光和亮衬线、灰阶掩模相结合的办法,利用遗传算法对失真影响最大的区...
关键词：光刻 光学邻近效应 掩模优化 厚胶 遗传算法 
一种离线光学邻近效应匹配方法的研究和仿真被引量：1
《微纳电子技术》2015年第3期197-203,共7页宋之洋 郭沫然 苏晓菁 刘艳松 粟雅娟 韦亚一 
国家科技重大专项资助项目(2013ZX02303)
目前小技术节点的光学邻近效应校正(OPC)过分依赖光刻机与光刻工艺的属性,量产时难以在不同型号光刻机间转移,而国内芯片制造厂光刻机种类繁杂,不可避免地需要解决工艺转移的问题。针对上述问题,以不同光刻机间的光学邻近效应匹配为研...
关键词：光刻 计算光刻 光学邻近效应校正(OPC) 光学邻近效应匹配 工艺窗口控制 
用于光刻系统仿真的多边形处理算法
《传感器与微系统》2014年第9期124-127,共4页吕楠 史峥 罗凯升 耿臻 
国家自然科学基金资助项目(61204111)
为提高光刻仿真效率,通过对光刻原理进行研究,提出了2种多边形处理算法,将掩模上的多边形图案进行切分优化,将其划分成若干矩形或三角形。在Linux环境下应用C语言设计出一个完整的光刻仿真系统,设计的具体光学参数为:光源波长为193nm,...
关键词：传感器 多边形切分 光刻仿真 光学邻近效应 部分相干系数 
影响PSM工艺产品良率因素的研究
《电子与封装》2008年第10期31-36,45,共7页赵伟 程秀兰 
文章围绕实际工作中遇到的0.13μm Logic产品的良率问题展开。主要通过分析比较相位移掩膜工艺和传统铬膜工艺的优缺点,找出可能导致产品良率低的主要因素。最后集中分析光阻膜厚与关键尺寸大小的关系图。当关键尺寸小到0.13μm以下时,...
关键词：良率 相位移掩膜 光阻 显影 扫描式曝光 光学邻近效应 
掩模曝光剂量的精细控制工艺设计
《中国集成电路》2007年第11期88-91,共4页胡广荣 李文石 
本文从光学邻近效应的机理出发,基于区域划分掩模特征线条,实施曝光剂量控制,从而达到光学邻近效应的精细校正。通过模拟测试图形得到改进后的掩模图形畸变率,与传统曝光剂量校正法相比,减少了约4%。
关键词：光学邻近效应校正 特征线条区域划分 图形畸变率 
一类考虑光学邻近效应的片内互连寄生电容提取方法
《浙江工业大学学报》2006年第5期538-540,545,共4页何剑春 王晓东 章旌红 贾立新 王涌 
浙江省教育厅资助科研项目(20051399)
大规模集成电路(ULSI)的高速发展使光刻中曝光线条的特征尺寸日益接近曝光系统的理论分辨极限,光学邻近效应可导致实际光刻版图的较大畸变.文中基于BEM和神经网络技术,通过定义等效长度概念,建立了一个计算寄生参数的小型专家系统NNCE,...
关键词：NNCE 光学邻近效应 寄生参数 边界元方法 
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