赵伟

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影响PSM工艺产品良率因素的研究
《电子与封装》2008年第10期31-36,45,共7页赵伟 程秀兰 
文章围绕实际工作中遇到的0.13μm Logic产品的良率问题展开。主要通过分析比较相位移掩膜工艺和传统铬膜工艺的优缺点,找出可能导致产品良率低的主要因素。最后集中分析光阻膜厚与关键尺寸大小的关系图。当关键尺寸小到0.13μm以下时,...
关键词：良率 相位移掩膜 光阻 显影 扫描式曝光 光学邻近效应 
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