粟雅娟

作品数：18被引量：26H指数：4
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：光刻版图石墨烯掺杂通孔更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>
发文期刊：《电子技术应用》《微电子学》《微电子学与计算机》《微纳电子技术》更多>>
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面向晶圆图缺陷模式识别的机器学习方法综述
《微纳电子与智能制造》2023年第2期22-29,共8页王雨芹 粟雅娟 苏晓菁 韦亚一 
晶圆缺陷是指在晶圆制造过程中,因氧化温度不均、蚀刻问题等异常造成的晶粒功能异常。随着芯片产业的发展,制造工艺向更先进制程迈进,所实现的集成电路的规模和复杂度也日益增加。这使得晶圆的制造工艺更加复杂,晶圆缺陷出现的概率和种...
关键词：晶圆图 缺陷检测 深度学习 机器视觉 
芯片制造中的光学微纳加工技术前沿与挑战被引量：1
《中国科学基金》2022年第3期460-467,共8页蒲明博 李向平 张杨 郑美玲 粟雅娟 曹耀宇 曹暾 徐挺 段宣明 冯帅 孙玲 
基于第282期“双清论坛”,本文分析了我国未来芯片及其制造技术发展面临的国际形势、技术挑战和发展趋势,回顾了光学微纳加工技术近年来与光学工程、物理学、电子科学与技术、仪器科学与技术、集成电路科学与工程等多个学科领域交叉取...
关键词：芯片制造 光学微纳加工 多学科交叉 基础研究 
VLSI详细布线算法研究进展被引量：4
《微电子学与计算机》2021年第11期1-6,共6页屈通 盖天洋 王书涵 苏晓菁 粟雅娟 韦亚一 
国家自然科学基金(61874002);北京市自然科学基金(4182021);国家重点研发计划(2019YFB2205005)。
超大规模集成电路(VLSI)中的详细布线是物理设计中一个重要且具有挑战性的环节.在这一阶段,所有导线的路径都会被确定下来,布线的优劣直接关系到芯片的面积和性能,路径搜索是布线中最为耗时的步骤之一.本文介绍了基于网格的布线模型,将...
关键词：详细布线 机器学习 强化学习 迷宫搜索 整数线性规划 
先进工艺下的版图邻近效应研究进展
《微电子学》2020年第5期675-682,共8页王英菲 张青淳 苏晓菁 董立松 陈睿 张利斌 盖天洋 粟雅娟 韦亚一 叶甜春 
国家自然科学基金资助项目(61804174);国家重大专项项目(2017ZX02315001);国家科技重大专项项目(2017ZX02101004)。
在28 nm及以下工艺节点,版图邻近效应已经成为一个重要问题。文章概述了版图邻近效应的研究及应用进展,介绍了Poly-gate、High-k/Metal-gate、FinFET等不同工艺下的6种版图邻近效应二级效应,包括阱邻近效应、扩散区长度效应、栅极间距...
关键词：版图邻近效应 CMOS 高k 金属栅 FINFET 
针对更精确电迁移预测应用的热耦合模型建模
《微电子学》2020年第5期732-737,共6页杨双 石新新 伍宏 粟雅娟 董立松 陈睿 张利斌 苏晓菁 陈颖 盖天洋 郭成 屈通 韦亚一 
国家自然科学基金资助项目(61804174);国家重大专项资助项目(2017ZX02315001);国家科技重大专项资助项目(2017ZX02101004)。
基于先进逻辑CMOS工艺平台,构建了集成电路热耦合模型,为后端金属线电迁移预测提供更精确的温度变化和分布信息。在建模过程中,为了提高建模和仿真效率,对金属线网络和晶体管有源区进行简化,并用热传输比率对热耦合进行表征。考虑到晶...
关键词：热耦合模型 热传输比率 金属线 有源区 电迁移 
NC-FinFET器件的仿真研究
《微电子学》2020年第3期410-415,共6页杨荣强 钱雅倩 粟雅娟 王颖倩 陈睿 陈颖 盖天洋 郭成 屈通 韦亚一 
通过结合BSIMCMG模型与负电容(NC)模型,构建了NC-FinFET模型。基于所建立的NC-FinFET模型,推导分析了其等效电容模型。利用Hspice对NC-FinFET的器件特性进行了系统仿真与分析。结果表明,与FinFET相比,NC-FinFET在电学特性上有更加明显...
关键词：NC-FinFET 负电容 亚阈值摆幅 BSIMCMG模型 衬偏效应 
化学外延方式的嵌段共聚物定向自组装
《微纳电子技术》2020年第2期155-162,共8页郭成 粟雅娟 陈睿 董立松 张利斌 陈颖 盖天洋 韦亚一 
国家自然科学基金资助项目(61804174);重大专项资助项目(2017ZX02315001);科技重大专项资助项目(2017ZX02101004).
定向自组装(DSA)是一种新型的光刻分辨率增强技术,为了探究制约DSA应用于大规模集成电路制造的因素,采用仿真手段评估了DSA工艺条件以及不同版图设计对DSA的影响。基于Cahn-Hilliard方程,模拟了不同"吸附"强度及退火时间下的线条图形光...
关键词：定向自组装(DSA) 化学外延 嵌段共聚物(BCP) 光刻 大规模集成电路 
基于机器学习的光刻坏点检测研究进展被引量：4
《微纳电子技术》2019年第6期421-428,434,共9页盖天洋 粟雅娟 陈颖 韦亚一 
国家科技重大专项资助项目(2017ZX02315001;2017ZX02101004)
基于机器学习的坏点检测技术已经成为光刻坏点检测的重要研究方向,在新技术节点开发与物理设计验证中具有重要意义。按照基于机器学习的光刻坏点检测技术的流程,依次介绍了特征提取、机器学习模型建模和待测样本提取等步骤中面临的问题...
关键词：机器学习 坏点检测 集成电路物理设计 计算光刻 设计工艺联合优化 
石墨烯/金属接触研究进展被引量：1
《微纳电子技术》2017年第11期745-751,共7页闫祥宇 粟雅娟 贾昆鹏 李梅 马源骏 韦亚一 
国家重点研发计划资助项目(2016YFA02023)
石墨烯/金属接触是石墨烯应用在集成电路领域的一个重要问题,按照其接触方式的不同,介绍了近年来关于石墨烯/金属接触的研究,主要分析了面接触与边缘接触的接触机理以及不同接触方式的器件结构,比较了各种接触方式的优劣。由于金属与石...
关键词：石墨烯 金属 面接触 边缘接触 欧姆接触 二维材料 
基于CVD单层MoS_2 FET的光电探测器
《微纳电子技术》2017年第7期437-443,共7页战俊 粟雅娟 贾昆鹏 罗军 闫祥宇 
国家自然科学基金资助项目(61306124)
通过化学气相沉积(CVD)工艺在SiO_2/Si衬底生长出MoS_2材料,对材料进行喇曼光谱表征,验证了单层MoS_2的存在;基于CVD生长的单层MoS_2完成了晶圆级背栅场效应晶体管(FET)光电探测器的工艺研发;对MoS_2 FET器件进行了电学特性表征,开关比...
关键词：二硫化钼(MoS2) 场效应晶体管(FET) 二维(2D)半导体材料 光电探测器 过渡金属硫属化合物(TMD) 
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