战俊

作品数:4被引量:9H指数:2
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供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题:衬底掺杂材料结构FETTMD更多>>
发文领域:电子电信社会学经济管理更多>>
发文期刊:《微纳电子技术》《中国行政管理》更多>>
所获基金:国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
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基于CVD单层MoS_2 FET的光电探测器
《微纳电子技术》2017年第7期437-443,共7页战俊 粟雅娟 贾昆鹏 罗军 闫祥宇 
国家自然科学基金资助项目(61306124)
通过化学气相沉积(CVD)工艺在SiO_2/Si衬底生长出MoS_2材料,对材料进行喇曼光谱表征,验证了单层MoS_2的存在;基于CVD生长的单层MoS_2完成了晶圆级背栅场效应晶体管(FET)光电探测器的工艺研发;对MoS_2 FET器件进行了电学特性表征,开关比...
关键词:二硫化钼(MoS2) 场效应晶体管(FET) 二维(2D)半导体材料 光电探测器 过渡金属硫属化合物(TMD) 
用于FET的PECVD SiN_x掺杂MoS_2的有效性与可控性
《微纳电子技术》2017年第4期229-234,共6页战俊 粟雅娟 罗军 贾昆鹏 段宁远 闫祥宇 
国家自然科学基金资助项目(61306124)
通过化学气相沉积(CVD)工艺成功生长出少层MoS_2薄膜,用Raman光谱仪对材料进行表征,验证了三层MoS_2材料的存在。基于CVD生长出的三层MoS_2薄膜材料完成了背栅场效应晶体管(FET)的制作工艺研发。对MoS_2FET器件进行了电学特性表征,研制...
关键词:二硫化钼场效应晶体管(MoS2 FET) 掺杂 二维(2D)半导体材料 过渡金属硫化物(TMD) 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 
石墨烯掺杂研究进展被引量:5
《微纳电子技术》2015年第11期692-700,共9页胡荣炎 贾昆鹏 陈阳 战俊 粟雅娟 
国家科技重大专项资助项目(2011ZX02707);国家自然科学基金资助项目(61204123)
石墨烯被认为是在后摩尔时代可能取代硅成为构筑集成电路的主要材料,近年来成为研究热点。然而要使石墨烯在电路中得到实际应用,其稳定、可控的掺杂至关重要。按照不同掺杂机理梳理了近年来关于掺杂石墨烯的研究,分析了表面转移掺杂和...
关键词:石墨烯 掺杂 吸附 替位 介质 金属 
构建流动人口动态管理模式的探索被引量:4
《中国行政管理》2013年第9期119-121,共3页战俊 
新时期构建流动人口动态管理模式以掌握流动人口动态信息,应成为公安机关社会管理创新的重要内容,也是应对以往流动人口静态管理模式之不足的必然之举。公安机关在构建流动人口动态管理模式的过程中,须从树立新的管理理念着手,适应社会...
关键词:流动人口 管理模式 动态管理 
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