高折射率镜头推动浸没式光刻跨越32纳米  

作　　者：Aaron Hand 

机构地区：[1]Semiconductor International

出　　处：《集成电路应用》2006年第6期15-15,共1页Application of IC

摘　　要：在今年的SPIE Microlithography年会上，与会的专家们一如既往地针对如何延伸光学光刻技术使用寿命的问题进行了大量的研讨。而与往年会议不同的是，尽管有人心存疑虑，但今年的会议仍然对双重曝光技术打开了友善之门。关于这项技术，普遍的问题是如何妥善地解决图形套准的问题，对于逻辑电路芯片的生产工艺而言，由于其没有大量的密集线条，因此也就能够较好地归避上述的风险。

关 键 词：光学光刻技术 32纳米 高折射率 浸没式 跨越 镜头 SPIE 使用寿命 曝光技术 生产工艺 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学] TN402