纳米压印光刻技术及其发展现状  

作　　者：李洪珠[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司

出　　处：《纳米科技》2012年第3期80-81,共2页

摘　　要：纳米压印光刻技术的研究始于普林斯顿大学纳米结构实验室Stephen Y．Chou教授，是将一具有纳米图案的模版以机械力（高温、高压）在涂有高分子材料的硅基板上等比例压印复制纳米图案，其加工分辨力只与模版图案的尺寸有关，而不受光学光刻的最短曝光波长的物理限制。目前NIL技术已经可以制作线宽在5nm以下的图案。由于省去了光学光刻掩模版和使用光学成像设备的成本，因此NIL技术具有低成本、高产出的经济优势。此外，NIL技术可应用的范围相当广泛，涵盖纳米电子元件、生物或化学的硅片实验室、微流道装置（微混合器、微反应器）、超高存储密度磁盘、微光学元件等领域。

关 键 词：光刻技术 纳米压印 纳米图案 普林斯顿大学 光学光刻 高分子材料 微光学元件 掩模版 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]