高剑锋

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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：HEMT器件T形栅截止频率METAMORPHICGAAS更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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具有136GHz的0.18m GaAs Metamorphic HEMT器件
《固体电子学研究与进展》2009年第2期167-169,共3页康耀辉 张政 朱赤 高剑锋 
应用电子束直写技术成功制作了栅长0.18μm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件结构,特别是T形栅结构,从而减小了器件寄生参数,达到了较好的器件性能。最终制作的I...
关键词：渐变组分高迁移率晶体管 T形栅 截止频率 
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