田振文

作品数：3被引量：2H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：移相掩模T形栅光刻胶位相差微光刻更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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用于T形栅光刻的新型移相掩模技术被引量：2
《微纳电子技术》2002年第5期37-40,共4页韩安云 王育中 王维军 张 倩 田振文 樊照田 陈宝钦 崔 铮 
根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术——M-PEL。初步实验证明,M-PEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌。
关键词：光学光刻 移相掩模 T形栅 M-PEL 
大幅提高ЭМ-5009Б激光图形发生器的曝光速率
《半导体情报》1999年第5期63-64,F003,共3页田振文 刘贵增 王维军 
根据ЭМ－５００９Б激光图形发生器的工件台运动方式，
关键词：激光图形发生器 曝光速率 VLSI 
反差增强材料最大吸收波长的经验估算
《半导体情报》1991年第5期12-21,共10页韩安云 田振文 
国家自然科学基金
本文分析了二芳基硝酮、二芳基乙烯、二芳基偶氮化合物以及芳族重氮化合物的最大吸收波长(λmax)与环上取代基的Hammett σ系数之间的关系。发现λmax的红移量与Σ|σ|之间有强相关性。并提出一种经验估算法,用于判断某些反差增强材料的...
关键词：刻蚀 反差增强材料 抗蚀剂 吸收波 
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