PHEMT器件

作品数：12被引量：19H指数：3
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相关期刊：《仪器仪表学报》《物理学报》《Journal of Semiconductors》《工程热物理学报》更多>>
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基于PHEMT器件的噪声测试方法研究
《信息技术》2018年第10期45-47,51,共4页丁兵 
国家自然科学基金重点项目(61076101);陕西省教育厅科学研究计划项目(16JK1016);安康学院科技计划项目(2017AYQN06)
随着器件尺寸进入深亚微米,器件的热效应现象也越明显。因此,研究微波器件在热应力条件下的性能很重要。针对GaAs PHEMT微波器件结构及特性,文中首先研究其噪声的基本测试条件,并制定噪声测试方案,该测试方案包括放大器的选择和噪声测...
关键词：微波器件 PHEMT 低频噪声 噪声测试 功率放大器 
FET/pHEMT器件寄生电阻的精确测量
《计量技术》2016年第1期33-35,共3页王海平 刘章文 
介绍了一种精确、高效的FET／pHEMT器件模型的寄生电阻及零偏置沟道电阻的测量方法。该方法仅凭器件漏端零偏置的简化模型的直流特性，就能测出寄生电阻和沟道电阻。因此能够对器件沟道质量作出初步评估，为器件的整个模型参数的提取走...
关键词：FET 小信号模型 参数提取 剥离 
多指PHEMT器件热点和热阻数值研究
《工程热物理学报》2014年第9期1807-1811,共5页李敏 吴晶 
国家自然科学基金资助项目(No.51206079)
随着大功率半导体器件的发展,其局部热流密度急剧增加。为防止器件功能失效,需要可靠的建模技术来研究器件的热学行为,进而指导其冷却设计。本文采用非等温能量平衡模型研究了自热效应对栅长为500nm的多指GaAs赝配高电子迁移率固态微波...
关键词：PHEMT 自热效应 NEB模型 热点 ■耗散热阻 
PHEMT器件界面态分析方法综述被引量：1
《电子产品可靠性与环境试验》2008年第3期20-23,共4页张鹏 黄云 李斌 
介绍了高电子迁移率场效应晶体管(PHEMT)器件的结构,并主要从直流特性、击穿电压和栅延时等方面研究了界面态对PHEMT器件的影响,总结了界面态分析方法,包括:通过沟道峰值电场和碰撞电离率来研究界面态的密度;二维量子模型模拟法的应用;...
关键词：高电子迁移率场效应晶体管 砷化镓器件 界面态 
功率PHEMT器件大信号建模
《半导体技术》2008年第S1期15-20,共6页刘军 孙玲玲 吴颜明 
GaAs微波毫米波单片和模块电路国家重点实验室(9140C1402030803)
提出一种新的、可同时适用于GaAs、GaN基PHEMT/HEMT/HFET器件大/小信号等效电路模型。沟道电流模型方程连续、可导,可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区特性,且漏导精确,主结构跨导至少可精确拟合至3阶。电荷方程在实现...
关键词：GaAs/GaN PHEMT/HEMT/HFET 大/小信号 模型 VERILOG-A ADS2005A 
GaAs FET/pHEMT器件小信号模型电路的确定
《仪器仪表学报》2006年第7期787-790,共4页刘章文 蒋毅 古天祥 
中国工程物理研究院科学技术研究基金(20040433)资助项目
提出了一种精确、高效的FET/pHEMT器件模型参数提取的改进方法。首先利用FET器件漏端零偏置的简化模型,测出寄生元件值,再利用正常配置时FET/pHEMT器件网络S参数,使用“剥离”技术将寄生部分全部剔除。最后利用网络导纳参数的表达式,确...
关键词：FETS 小信号模型 参数提取 剥离 
一种GaAs FET/pHEMT器件噪声参数测量的新方法被引量：1
《电子学报》2006年第2期352-355,共4页刘章文 蒋毅 古天祥 
中国工程物理研究院科学技术研究基金(No.20040433)
本文提出一种FET/pHEMT器件噪声参数提取的新方法.该方法利用50Ω输入阻抗噪声系数F50的测量,通过本征H参数和本征级联噪声矩阵CAINT,确定出关于门噪声温度Tg和漏噪声温度Td的线性方程.后对所有频点的线性方程Tg-Td作统计分析,即可确定T...
关键词：噪声测量 FET 本征H参数 级联噪声矩阵 
深亚微米pHEMT器件的建模被引量：1
《微纳电子技术》2003年第12期35-38,共4页韩育 高学邦 
针对0.25μmpHEMT器件,建立了其小信号和非线性等效电路模型,采用窄脉冲测试技术提高了深亚微米器件的测试精度,采用改进的Materka模型提高了模型的模拟精度。已建立的两种0.25μmpHEMT模型已用于毫米波VCO和PA的设计中。
关键词：深亚微米 PHEMT器件 脉冲测试 非线性等效电路模型 半导体器件模型 
确定PHEMT器件等效电路的一种新方法
《Journal of Semiconductors》2003年第7期748-752,共5页谢利刚 张斌 
提出了一种新的确定 PHEMT器件小信号等效电路方法 .这种方法包括对本征元件与非本征元件的解析求解以及逆向求解优化非本征元件 ,从而提高非本征元件值的精度 ,使得整个等效电路的精度大大提高 .这种方法迅速而准确 ,用 Matlab编制的...
关键词：等效电路 本征 非本征 解析 优化 S参数 
一种新的GaAs PHEMT器件可靠性评估方法研究被引量：8
《物理学报》2003年第10期2576-2579,共4页刘红侠 郑雪峰 韩晓亮 郝跃 张绵 
国家自然科学基金 (批准号 :6 0 2 0 6 0 0 6 );国防预研基金 (批准号 :0 0J8.4 .3DZ0 1)资助的课题~~
通过研究应力前后GaAsPHEMT器件电特性的测量 ,分析了GaAsPHEMT退化的原因 ,从实验中得出高场下碰撞电离的电离率与器件沟道电场峰值的关系曲线 .对高场下碰撞电离率的实验曲线进行拟合 ,可以得到碰撞电离率与器件沟道电场峰值的量化关...
关键词：高电子迁移率晶体管 PHEMT器件 可靠性评估 碰撞电离率 GAAS 退化 沟道电场峰值 砷化镓晶体管 
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