韩晓亮

作品数：9被引量：24H指数：3
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供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所更多>>
发文主题：可靠性PMOSFETNBTI效应界面态GAAS_PHEMT更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学》《西安电子科技大学学报》《电子学报》《物理学报》更多>>
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ULSI中铜互连及其可靠性的研究与进展被引量：3
《西安电子科技大学学报》2005年第4期627-633,共7页郝跃 邵波涛 马晓华 韩晓亮 王剑屏 
国家"863"计划资助项目(2003AA1Z1630)
随着集成电路向高集成度、高可靠性方向的发展,铜互连工艺的可靠性问题逐渐显得重要.分析和比较了铜互连关键工艺,叙述了对铜互连损耗和铜通孔损耗的研究进展,对铜互连基本可靠性单元进行了讨论,指出现在仍然存在的问题,并给出了解决这...
关键词：铜互连 基本可靠性单元 可靠性技术 
深亚微米p^+栅pMOSFET中NBTI效应及氮在其中的作用被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第1期84-87,共4页韩晓亮 郝跃 刘红侠 
国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2AA1Z163 0 );国家自然科学基金 (批准号 :60 2 0 60 0 6)资助项目~~
研究了p+ 栅pMOSFET中的NBTI效应 .通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化 ,研究了氮化栅氧中氮对NBTI效应的作用 ,并给出了栅氧中的氮对NBTI效应影响的可能机制 ,即栅氧中氮形成的Si—N键不易被分解 ,但栅氧中的氮提供了H+...
关键词：NBTI效应 氮化栅氧 界面态 氧化层正固定电荷 
闪速存储器中的热载流子可靠性研究被引量：1
《西安电子科技大学学报》2004年第6期821-824,共4页郑雪峰 郝跃 刘红侠 李培咸 刘道广 韩晓亮 
国家863计划VLSI重大专项资助项目(2004AA1Z1070);国家部委预研计划资助项目(41308060305)
提出了一种测量闪速存储器存储单元浮栅电压耦合率的方法.研究了采用负栅源边擦除的存储单元出现的退化现象,认为在擦除过程中源极附近的空穴注入产生界面态和氧化层陷阱,由该界面态和氧化层陷阱形成的应力导致漏电流是引起这种器件退...
关键词：闪速存储器 耦合率 应力导致的漏电流 
影响PMOSFET中NBTI效应的相关因素研究
《微电子学》2004年第5期547-550,共4页韩晓亮 郝跃 刘红霞 
国家自然科学基金资助项目(60206006);军事重大预研项目(41308060305)
　在PMOSFET上施加负栅压和高温应力后,出现的NBTI效应是超深亚微米MOS器件中重要的可靠性问题之一。研究了NBTI效应对PMOSFET器件参数的影响及其产生机理;基于NBTI效应的产生模型,分析了Si/SiO2界面处氢、氮和水等相关因素对NBTI效应...
关键词：NBTI效应 PMOSFET 界面陷阱 氧化层固定电荷 
GaAs PHEMT器件的退化特性及可靠性表征方法被引量：8
《Journal of Semiconductors》2004年第1期77-81,共5页刘红侠 郑雪峰 郝跃 韩晓亮 李培咸 张绵 
国家自然科学基金 (批准号 :60 2 0 60 0 6);国防预研基金 (批准号 :0 0 J8.4.3 DZ0 1)资助项目~~
测量了应力前后 Ga As PHEMT器件电特性的退化 ,指出了 Ga As PHEMT阈值电压的退化由两个原因引起 .栅极下 Al Ga As层深能级的空穴积累可以解释阈值电压漂移中暂时性的、可恢复的那部分 ,积累在栅金属与半导体之间界面层的空穴可以解...
关键词：高电子迁移率晶体管 阈值电压 碰撞电离 可靠性表征 
NBTI和HCI混合效应对PMOSFET特性退化的影响被引量：3
《西安电子科技大学学报》2003年第4期429-432,共4页韩晓亮 郝跃 
国家部委科技重点预研资助项目(OOJ8 4 3DZ01)
随着器件尺寸向超深亚微米的不断发展,负偏置温度不稳定性和热载流子注入对器件可靠性的影响越来越严重.研究了负偏置温度不稳定性和热载流子注入共同作用下的PMOSFET的退化问题.首先研究了高温沟道热载流子应力模式下负偏置温度不稳定...
关键词：负偏置温度不稳定性 热载流子注入 PMOSFET 退化 NBTI HCI 可靠性 
超深亚微米PMOSFET器件的NBTI效应被引量：2
《Journal of Semiconductors》2003年第6期626-630,共5页韩晓亮 郝跃 
国家自然科学基金 (批准号 :60 2 0 60 0 6);军事重大预研 ( No.4130 80 60 30 5 )资助项目~~
研究了超深亚微米 PMOS器件中的 NBTI(负偏置温度不稳定性 )效应 ,通过实验得到了 NBTI效应对PMOSFET器件阈值电压漂移的影响 ,并得到了在 NBTI效应下求解器件阈值电压漂移的经验公式 .分析了影响NBTI效应的主要因素 :器件栅长、硼穿通...
关键词：超深亚微米 NBTI效应 可靠性 
一种新的GaAs PHEMT器件可靠性评估方法研究被引量：8
《物理学报》2003年第10期2576-2579,共4页刘红侠 郑雪峰 韩晓亮 郝跃 张绵 
国家自然科学基金 (批准号 :6 0 2 0 6 0 0 6 );国防预研基金 (批准号 :0 0J8.4 .3DZ0 1)资助的课题~~
通过研究应力前后GaAsPHEMT器件电特性的测量 ,分析了GaAsPHEMT退化的原因 ,从实验中得出高场下碰撞电离的电离率与器件沟道电场峰值的关系曲线 .对高场下碰撞电离率的实验曲线进行拟合 ,可以得到碰撞电离率与器件沟道电场峰值的量化关...
关键词：高电子迁移率晶体管 PHEMT器件 可靠性评估 碰撞电离率 GAAS 退化 沟道电场峰值 砷化镓晶体管 
超深亚微米P^+栅PMOSFET中NBTI效应及其机理研究被引量：4
《电子学报》2003年第z1期2063-2065,共3页郝跃 韩晓亮 刘红侠 
国家 8 63高科技VLSI重大专项基金;国家自然科学基金
本文深入研究了P+ 栅PMOSFET中的NBTI效应 ,首先通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化 ,基于这些实验结果提出了一种可能的NBTI效应发生机制 :即由水分子参与的Si SiO2 界面处的电化学反应 .
关键词：NBTI效应 PMOSFET 界面态 正氧化层固定电荷 
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