NBTI效应

作品数：26被引量：39H指数：4
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：石艳玲李小进郝跃韩晓亮刘红侠更多>>
相关机构：西安电子科技大学华东师范大学合肥工业大学安徽理工大学更多>>
相关期刊：《半导体技术》《电子学报》《计算机辅助设计与图形学学报》《现代电子技术》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金上海市自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
一种用于STT-MRAM可缓解NBTI效应的灵敏放大器
《中国集成电路》2024年第5期62-66,71,共6页张丽 
自旋转移力矩磁随机存储器(STT-MRAM)是存内计算体系结构中非易失性存储器的热点器件。随着器件尺寸的减小,STT-MRAM电路性能会因为工艺电压温度的变化而退化,电路中的PMOSFET也因为负偏压温度不稳定性(NBTI)引发的退化越来越严重。为降...
关键词：自旋转移力矩磁随机存储器 磁隧道结 灵敏放大器 负偏压温度不稳定性 
基于神经网络的逻辑门NBTI退化建模与计算
《微电子学》2019年第5期713-717,共5页卿健 张珀菁 郭海霞 李小进 孙亚宾 石艳玲 
国家自然科学基金资助项目(61574056,61204038)
提出了基于神经网络的逻辑门退化延迟模型。根据逻辑门延迟数据特征,采用神经网络BP算法,对仿真样本数据进行训练,获得7种基本逻辑门延迟退化计算方法以及网络模型参数。基于45nm CMOS工艺进行验证,模型计算值与Spice仿真数据的误差不超...
关键词：NBTI效应 逻辑电路 退化延迟模型 神经网络 
基于循环向量协同优化电路的NBTI效应和泄漏功耗
《电子科技》2019年第6期74-77,共4页石奇琛 张嘉洋 
当晶体管的特征尺寸减小到45nm时,电路的可靠性已经成为影响系统设计一个关键性因素。负偏压温度不稳定性(NBTI)和泄露功耗引起的电路可靠性现象的主要原因,导致关键门的老化加重,关键路径延迟增加,最终使得芯片失效,影响系统的正常工...
关键词：模型电路可靠性 老化效应 负偏压温度不稳定性 输入向量控制 泄露功耗 
考虑功耗的集成电路老化缓解技术的研究
《电子乐园》2019年第2期102-102,161,共2页赵海阳 
随着半导体工艺技术进入纳米阶段,集成电路的集成度与性能随之不断提升,但由此引起的可靠性问题也日益凸显,严重威胁 着集成电路的可靠性。目前可靠性的首要问题是功耗问题与负偏置温度不稳定性(Negativebiastemperatureinstability,NB...
关键词：NBTI效应 动态功耗 方法 
缓解由NBTI效应引起的电路老化研究
《电脑知识与技术》2019年第3期263-264,共2页王威猛 
随着科学技术的进步,晶体管尺寸不断逼近物力极限,使得NBTI((Negative Bias Temperature Instability))效应成为影响集成电路老化的主要因素。现有很多方法缓解电路的NBTI点,如何避免每种方法的缺点而尽可能地发挥其最大的优势成为研究...
关键词：NBTI效应 电路老化 门替换 输入向量控制 
多约束下寻找关键门的门替换技术缓解电路的NBTI效应
《现代电子技术》2018年第22期113-116,共4页周瑞云 易茂祥 黄正峰 
国家自然科学基金资助项目(61371025);国家自然科学基金资助项目(61274036)~~
随着晶体管特征尺寸的不断减小,威胁数字电路可靠性的一个重要因素是负偏置温度不稳定性。为了缓解NBTI效应对电路产生的老化影响,文中提出时延约束、路径约束和考虑非门的可防护性约束的多约束下,通过计算门的影响因数的大小来寻找定...
关键词：负偏置温度不稳定性 电路老化 关键门 时延约束 影响因数 门替换 
考虑NBTI效应的逻辑门退化延迟模型
《微电子学》2018年第1期98-102,共5页郭海霞 王燕玲 李小进 孙亚斌 石艳玲 
国家自然科学基金资助项目(61574056;61204038);上海自然科学基金资助项目(14ZR1412000)
基于45nm PTM模型,采用Hspice对基本逻辑门进行了仿真,并使用Matlab对仿真数据进行了三维延迟曲面拟合。在这些仿真基础上,建立了关于输入信号翻转时间t_i、输出负载电容C_L、阈值电压变化量ΔV_(th)的传播延迟t_p和输出翻转时间to的计...
关键词：负偏压温度不稳定性 逻辑门 可靠性设计 门延迟模型 
pMOS器件NBTI效应随着器件参数变化规律的一种模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2018年第1期25-31,共7页刘毅 孙瑞泽 贺威 曹建民 
深圳市科技计划项目(JCYJ20160308093947132)
器件的负偏压温度不稳定性(Negative bias temperature instability,NBTI)退化依赖于栅氧化层中电场的大小和强反型时沟道空穴浓度,沟道掺杂浓度的不同显然会引起栅氧化层电场的变化。栅氧化层的厚度不仅影响栅氧化层电场,而且会影响沟...
关键词：半导体物理 负偏压温度不稳定性 阈值电压 沟道掺杂浓度 栅氧厚度 可靠性 
NBTI效应对时钟树门控时钟偏移的影响
《集成电路应用》2017年第12期24-28,共5页陈寿面 李小进 
国家自然科学基金(61574056)
负偏压不稳定性(NBTI)会造成PMOS器件退化,导致电路性能下降。时钟树网络是同步时序电路的关键,随着电路工作时间推移,NBTI会造成时钟树时钟偏移改变,降低时序电路的整体性能,严重造成电路失效。依据40 nm CMOS工艺NBTI反应/扩散(RD)静...
关键词：NBTI 时钟偏移 门控时钟 反应/扩散(RD) 建模 
基于NBTI效应的数字型高精度老化监测电路设计被引量：4
《科技通报》2017年第2期104-108,共5页姚剑婷 刘画池 贾徭 吴诒轩 王超 张跃军 
国家自然科学基金(61404076);浙江省自然科学基金(LQ14F040001);浙江省科技厅公益技术应用研究(2015C31010);宁波市自然科学基金(2015A610107;2014A610148);宁波大学SRIP科研项目(12554814)
随着晶体管特征尺寸的减小,负偏压温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)已经成为影响电路老化的关键因素,准确地衡量老化程度是抗老化设计前提条件。通过对NBTI效应和老化监测原理的研究,提出一种数字型高精度老...
关键词：NBTI效应 VCO电路 等精度测量 老化监测 
全选清除导出
共3页<123>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部