刘小红

作品数：4被引量：5H指数：1
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供职机构：合肥工业大学电子科学与应用物理学院更多>>
发文主题：违规电路IVCNBTI效应替换技术更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《合肥工业大学学报（自然科学版）》《计算机辅助设计与图形学学报》《应用科学学报》《电子测量与仪器学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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基于输入向量控制和传输门插入的电路NBTI老化缓解
《合肥工业大学学报（自然科学版）》2018年第1期55-59,75,共6页胡林聪 易茂祥 丁力 朱炯 刘小红 梁华国 
国家自然科学基金资助项目(61371025;61474036;61574052)
针对现有方案通过输入向量控制(input vector control,IVC)结合门替换(gate replacement,GR)技术缓解负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)引起的电路老化,存在GR应用可能破坏IVC抗老化效果的问题,文章提出...
关键词：负偏置温度不稳定性(NBTI) 老化 输入向量控制(IVC) 传输门(TG)插入 回溯 
考虑输入占空比和随机性的M-IVC缓解电路老化被引量：1
《计算机辅助设计与图形学学报》2017年第5期968-976,共9页易茂祥 刘小红 吴清焐 朱炯 胡林聪 梁华国 
国家自然科学基金(61371025;61574052;61474036)
针对现有多输入向量控制(M-IVC)缓解负偏置温度不稳定性(NBTI)引起的电路老化的方法仅考虑到输入信号占空比约束的问题,提出一种同时优化输入信号占空比和随机性的M-IVC方法.首先采用遗传算法求解出电路的最优输入占空比;然后在最优占...
关键词：负偏置温度不稳定性 多输入向量控制 输入波形 最优占空比 随机性 
应用基于双权值的门替换方法缓解电路老化被引量：1
《应用科学学报》2017年第2期171-180,共10页朱炯 易茂祥 张姚 胡林聪 刘小红 梁华国 
国家自然科学基金(No.61371025;No.61274036)资助
在纳米工艺水平下,负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)成为影响集成电路可靠性的关键性因素.NBTI效应导致晶体管阈值电压增加,老化加剧,最终使电路时序违规.为了缓解电路的NBTI效应,定义了时延关键性权值...
关键词：负偏置温度不稳定性 电路时序违规 双权值 关键门 非门替换 
缓解电路NBTI效应的改进门替换技术被引量：5
《电子测量与仪器学报》2016年第7期1029-1036,共8页朱炯 易茂祥 张姚 胡林聪 刘小红 程龙 黄正峰 
国家自然科学基金(61371025;61274036;61574052)资助项目
纳米工艺水平下,负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)成为影响集成电路可靠性的关键性因素。NBTI效应会导致晶体管阈值电压增加,老化加剧,最终导致电路时序违规。为了缓解电路的NBTI效应,引入考虑门的时延...
关键词：负偏置温度不稳定性 时序违规 时延关键性 关键门 门替换 
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