正氧化层固定电荷

作品数：1被引量：4H指数：1
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超深亚微米P^+栅PMOSFET中NBTI效应及其机理研究被引量：4
《电子学报》2003年第z1期2063-2065,共3页郝跃 韩晓亮 刘红侠 
国家 8 63高科技VLSI重大专项基金;国家自然科学基金
本文深入研究了P+ 栅PMOSFET中的NBTI效应 ,首先通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化 ,基于这些实验结果提出了一种可能的NBTI效应发生机制 :即由水分子参与的Si SiO2 界面处的电化学反应 .
关键词：NBTI效应 PMOSFET 界面态 正氧化层固定电荷 
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