超深亚微米P^+栅PMOSFET中NBTI效应及其机理研究  

The Study on NBTI Mechanism and Its Effect on P^+ Gate PMOSFET

作　　者：郝跃[1] 韩晓亮[1] 刘红侠[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,陕西西安710071

出　　处：《电子学报》2003年第z1期2063-2065,共3页Acta Electronica Sinica

基　　金：国家 8 63高科技VLSI重大专项基金;国家自然科学基金

摘　　要：本文深入研究了P+ 栅PMOSFET中的NBTI效应 ,首先通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化 ,基于这些实验结果提出了一种可能的NBTI效应发生机制 :即由水分子参与的Si SiO2 界面处的电化学反应 .The influence of negative bias temperature instability(NBTI) on P + polygate PMOSFET's was analyzed.The pre and post-stress degradation of device characteristics and key parameter was obtained from the NBTI stress experiments.Based on this experimental result,the electrochemical reaction which water act as a reactant is the main cause of NBTI mechanism.Lastly,some methods was brought up to suppress NBTI effects.

关 键 词：NBTI效应 PMOSFET 界面态 正氧化层固定电荷 

分 类 号：TN306[电子电信—物理电子学] TN386.1