深亚微米p^+栅pMOSFET中NBTI效应及氮在其中的作用  

NBTI Effects of p^+ Gate pMOSFET and Influence of Nitrogen on NBTI Effects

作　　者：韩晓亮[1] 郝跃[1] 刘红侠[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,西安710071

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第1期84-87,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2AA1Z163 0 );国家自然科学基金 (批准号 :60 2 0 60 0 6)资助项目~~

摘　　要：研究了p+ 栅pMOSFET中的NBTI效应 .通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化 ,研究了氮化栅氧中氮对NBTI效应的作用 ,并给出了栅氧中的氮对NBTI效应影响的可能机制 ,即栅氧中氮形成的Si—N键不易被分解 ,但栅氧中的氮提供了H+ 的陷阱中心 ,导致NBTI效应中氧化层正固定电荷的增加 。The influence of negative bias temperature instability (NBTI) on p + poly gate pMOSFET is analyzed.The pre-and post-stress degradation of device characteristics and key parameters are obtained.The influence of nitrogen on NBTI effects is analyzed and a possible mechanism is given:Si—N bond in Si/SiO 2 is not feasible to be broken up,but the nitrogen in oxide acts as a trap center and enhances the fixed oxide charge generation in NBTI effects.The nitrogen in oxide enhances the NBTI effects.

关 键 词：NBTI效应 氮化栅氧 界面态 氧化层正固定电荷 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]