NBTI和HCI混合效应对PMOSFET特性退化的影响  

The influence of NBTI and HCI effects on the degradation of PMOSFETs characteristics

作　　者：韩晓亮[1] 郝跃[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,陕西西安710071

出　　处：《西安电子科技大学学报》2003年第4期429-432,共4页Journal of Xidian University

基　　金：国家部委科技重点预研资助项目(OOJ8 4 3DZ01)

摘　　要：随着器件尺寸向超深亚微米的不断发展,负偏置温度不稳定性和热载流子注入对器件可靠性的影响越来越严重.研究了负偏置温度不稳定性和热载流子注入共同作用下的PMOSFET的退化问题.首先研究了高温沟道热载流子应力模式下负偏置温度不稳定性与热载流子注入两种效应对器件阈值电压和跨导漂移的影响,这两种效应的共同作用表现为一种负偏置温度不稳定性效应增强的热载流子注入效应;然后给出了这种混合效应的解释.最后提出了一种分解负偏置温度不稳定性和热载流子注入这两种效应的方法.With the developement of device dimensions to the Ultra-deep sub micorn, the NBTI effect and the HCI effect become more severe in device reliability. The influence of NBTI and HCI effects on the degradation of PMOSFETs characteristics is discussed in this paper. First, NBTI+HCI effects have greatly accelerated the degradation of the threshold voltage and transconductance of the ultra deep sub-micron device, and this compound effect exhibits an NBTI enhanced HCI effect, which is explained in the paper. Finally a method is put forward to decouple the NBTI and HCI effects.

关 键 词：负偏置温度不稳定性 热载流子注入 PMOSFET 退化 NBTI HCI 可靠性 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]