张绵

作品数：5被引量：13H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：GAASGAAS_PHEMT高电子迁移率晶体管MESFETFET更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体技术》《物理学报》《功能材料与器件学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
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GaAs表面Ga、As的比对GaAs MESFET击穿电压的影响被引量：1
《半导体技术》2004年第12期38-40,共3页李云 张利民 李岚 张绵 
通过用XPS分析GaAs MESFET肖特基势垒制作前后的表面情况,发现GaAs表面Ga、As的比,对GaAs MESFET击穿电压有着明显的影响, 表面Ga、As比的明显偏离将导致击穿电压的下降。分析了GaAs表面Ga、As比偏离的原因,提出了改进的方法。
关键词：GAAS MESFET 击穿 偏离 
GaAs PHEMT器件的退化特性及可靠性表征方法被引量：8
《Journal of Semiconductors》2004年第1期77-81,共5页刘红侠 郑雪峰 郝跃 韩晓亮 李培咸 张绵 
国家自然科学基金 (批准号 :60 2 0 60 0 6);国防预研基金 (批准号 :0 0 J8.4.3 DZ0 1)资助项目~~
测量了应力前后 Ga As PHEMT器件电特性的退化 ,指出了 Ga As PHEMT阈值电压的退化由两个原因引起 .栅极下 Al Ga As层深能级的空穴积累可以解释阈值电压漂移中暂时性的、可恢复的那部分 ,积累在栅金属与半导体之间界面层的空穴可以解...
关键词：高电子迁移率晶体管 阈值电压 碰撞电离 可靠性表征 
一种新的GaAs PHEMT器件可靠性评估方法研究被引量：8
《物理学报》2003年第10期2576-2579,共4页刘红侠 郑雪峰 韩晓亮 郝跃 张绵 
国家自然科学基金 (批准号 :6 0 2 0 6 0 0 6 );国防预研基金 (批准号 :0 0J8.4 .3DZ0 1)资助的课题~~
通过研究应力前后GaAsPHEMT器件电特性的测量 ,分析了GaAsPHEMT退化的原因 ,从实验中得出高场下碰撞电离的电离率与器件沟道电场峰值的关系曲线 .对高场下碰撞电离率的实验曲线进行拟合 ,可以得到碰撞电离率与器件沟道电场峰值的量化关...
关键词：高电子迁移率晶体管 PHEMT器件 可靠性评估 碰撞电离率 GAAS 退化 沟道电场峰值 砷化镓晶体管 
半绝缘砷化镓中的低频振荡及其对FET噪声性能的影响
《功能材料与器件学报》2000年第3期197-200,共4页张绵 王云生 李岚 白锡巍 
在无光照条件下测量背栅时,部分半绝缘砷化镓材料呈现明显低频振荡。对振荡特性进行了初步研究,并观察了振荡对GaAsMESFET噪声性能的影响。实验结果表明了采用不同低频振荡特性的材料制备器件时，其噪声性能也有差别。
关键词：半绝缘GAAS 低频振荡 FET 噪声性能 
0.1-0.3μm X射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用
《功能材料与器件学报》2000年第3期182-185,共4页叶甜春 谢常青 李兵 陈大鹏 陈朝晖 赵玲莉 胥兴才 刘训春 张绵 赵静 
对同步辐射X射线光刻及在GaAsPHEMT器件制作中的应用进行了研究,并制作出栅长0.15μm的AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT晶体管。研究结果表明,X射线光刻在剥离图形及T型栅结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量，在混合光刻工艺中，抑止GaAs合...
关键词：X射线光刻 PHEMT T型栅 GaAs器件制作 
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