胥兴才

作品数：5被引量：15H指数：2
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：X射线光刻LPCVD掩模氮化硅光刻技术更多>>
发文领域：电子电信核科学技术一般工业技术化学工程更多>>
发文期刊：《核技术》《功能材料与器件学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家科技攻关计划“九五”国家科技攻关计划更多>>
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LPCVD制备纳米硅镶嵌结构氮化硅膜及其内应力被引量：14
《Journal of Semiconductors》2001年第12期1529-1533,共5页陈大鹏 叶甜春 谢常青 李兵 赵玲莉 韩敬东 胥兴才 
国家九五重点科技攻关资助项目~~
报道了在采用 L PCVD法制备的富硅 Si Nx 膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构 .视生长条件和工艺不同 ,该结构的尺度范围从数十到几百纳米不等 .利用不同条件下生长的 Si Nx 膜的应力测试结果和透射电镜观测结果 ,分析了富硅型 Si Nx 膜...
关键词：硅镶嵌微结构 LPCVD 氮化硅 薄膜 
深亚微米同步辐射x射线光刻模拟
《半导体情报》2001年第6期36-38,44,共4页谢常青 叶甜春 陈大鹏 李兵 胥兴才 
国家"九五"科技攻关资助项目 (97-762 -0 3 -0 3 )
用束衍生法研究了深亚微米同步辐射 x射线光刻中掩模吸收体的光导波效应 ,并对 x射线光刻后的光刻胶剖面进行了理论计算。采用面向对象技术 ,研制了一个取名为 XLLS1 .0的模拟软件。
关键词：X射线光刻 模拟 同步辐射 深亚微米 半导体工艺 
0.1-0.3μm X射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用
《功能材料与器件学报》2000年第3期182-185,共4页叶甜春 谢常青 李兵 陈大鹏 陈朝晖 赵玲莉 胥兴才 刘训春 张绵 赵静 
对同步辐射X射线光刻及在GaAsPHEMT器件制作中的应用进行了研究,并制作出栅长0.15μm的AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT晶体管。研究结果表明,X射线光刻在剥离图形及T型栅结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量，在混合光刻工艺中，抑止GaAs合...
关键词：X射线光刻 PHEMT T型栅 GaAs器件制作 
深亚微米同步辐射x射线光刻技术被引量：1
《半导体情报》2000年第6期35-37,42,共4页谢常青 叶甜春 陈大鹏 赵玲莉 胥兴才 
"九五"国家科技攻关资助项目
报道了我们制作深亚微米 x射线掩模的工艺和同步辐射 x射线曝光工艺 ,并报道了我们在北京同步辐射装置 (BSRF) 3B1 A光刻束线所获得的深亚微米
关键词：X射线光刻 同步辐射 深亚微米 
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