深亚微米同步辐射x射线光刻模拟  

Deep sub-micron synchrotron radiation x-ray lithography simulation

作　　者：谢常青[1] 叶甜春[1] 陈大鹏[1] 李兵[1] 胥兴才[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子中心,北京100010

出　　处：《半导体情报》2001年第6期36-38,44,共4页Semiconductor Information

基　　金：国家"九五"科技攻关资助项目 (97-762 -0 3 -0 3 )

摘　　要：用束衍生法研究了深亚微米同步辐射 x射线光刻中掩模吸收体的光导波效应 ,并对 x射线光刻后的光刻胶剖面进行了理论计算。采用面向对象技术 ,研制了一个取名为 XLLS1 .0的模拟软件。The beam propagation method is used to investigate the absorber waveguide effect in deep micron synchrotron radiation x ray lithography,and the resist profile after x ray exposure is calculated theoretically.Using object oriented programming technology,a simulation software called XLSS1 0 has been developed recently.The detail of this software is described in this paper.

关 键 词：X射线光刻 模拟 同步辐射 深亚微米 半导体工艺 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]