深亚微米同步辐射x射线光刻技术  

Deep sub-micron synchrotron radiation x-ray lithography technique

作　　者：谢常青[1] 叶甜春[1] 陈大鹏[1] 赵玲莉[1] 胥兴才[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子中心三室,北京100010

出　　处：《半导体情报》2000年第6期35-37,42,共4页Semiconductor Information

基　　金："九五"国家科技攻关资助项目

摘　　要：报道了我们制作深亚微米 x射线掩模的工艺和同步辐射 x射线曝光工艺 ,并报道了我们在北京同步辐射装置 (BSRF) 3B1 A光刻束线所获得的深亚微米In this paper,the deep sub-micron x-ray mask fabrication process and the synchrotron radiation exposure process are reported,and the deep sub-micron x-ray litho-graphy pattern finished in Beijing Synchrotron Radiation Facility(BSRF)3B1A beamline is also reported.

关 键 词：X射线光刻 同步辐射 深亚微米 

分 类 号：TN405.7[电子电信—微电子学与固体电子学]