砷化镓晶体管

作品数：12被引量：17H指数：2
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基于砷化镓晶体管的1.35~2.0 GHz低噪声放大器被引量：2
《天文研究与技术》2020年第3期276-282,共7页江龙 李建斌 刘鸿飞 柴晓明 
国家自然科学天文联合基金(U1831110);国家自然科学青年基金(11703048);国家自然科学基金面上项目(11173037);西藏自治区重点研发及转化计划项目(XZ201901-GB-21)资助。
低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)是接收机系统的关键器件,其性能决定了接收机系统的噪声温度和对微弱射电信号的放大能力。采用Avago公司砷化镓(GaAs)工艺的pHEMT ATF-54134研制了一款可工作在1.35~2.0 GHz频率范围内的低噪声放...
关键词：低噪声放大器 射电天文接收机 砷化镓晶体管 输入1 dB压缩点 两级拓扑电路 
美国研究人员研制成功新型碳纳米晶体管
《军民两用技术与产品》2016年第19期28-28,共1页威锋 
美国威斯康星大学麦迪逊分校的研究人员成功制作出了1英寸碳纳米晶体管，在性能上首次超过了硅晶体管和砷化镓晶体管。
关键词：美国威斯康星大学 纳米晶体管 研究人员 砷化镓晶体管 碳 硅晶体管 
碳纳米晶体管性能首次超越硅晶体管被引量：1
《低温与特气》2016年第5期15-15,共1页
据美国威斯康星大学麦迪逊分校官网近日报道，该校材料学家成功研制的1英寸大小碳纳米晶体管，首次在性能上超越硅晶体管和砷化镓晶体管。这一突破是碳纳米管发展的重大里程碑，将引领碳纳米管在逻辑电路、高速无线通讯和其他半导体电...
关键词：纳米晶体管 碳纳米管 硅晶体管 性能 美国威斯康星大学 半导体电子器件 砷化镓晶体管 逻辑电路 
碳纳米晶体管首次实现性能超越硅晶体管
《中国粉体工业》2016年第5期48-48,共1页
9月5日，据美国威斯康星大学麦迪逊分校官网日前报道，该校材料学家成功研制的1英寸大小碳纳米晶体管，首次在性能上超越硅晶体管和砷化镓晶体管。这一突破是碳纳米管发展的重大里程碑，将引领碳纳米管在逻辑电路、高速无线通讯和其他...
关键词：纳米晶体管 碳纳米管 硅晶体管 性能 美国威斯康星大学 半导体电子器件 砷化镓晶体管 逻辑电路 
碳纳米晶体管性能首次超越硅晶体管
《功能材料信息》2016年第5期31-32,共2页聂翠蓉 
科技日报北京9月5日电（记者聂翠蓉）据美国威斯康星大学麦迪逊分校官网近日报道,该校材料学家成功研制的1英寸大小碳纳米晶体管,首次在性能上超越硅晶体管和砷化镓晶体管。这一突破是碳纳米管发展的重大里程碑,将引领碳纳米管在逻辑电...
关键词：碳纳米管 纳米晶体管 硅晶体管 性能 美国威斯康星大学 半导体电子器件 砷化镓晶体管 逻辑电路 
碳纳米晶体管性能超越硅晶体管
《光学精密机械》2016年第3期10-10,共1页
据美国威斯康星大学麦迪逊分校官网近日报道，该校材料学家成功研制的1英寸大小碳纳米晶体管，首次在性能上超越硅晶体管和砷化镓晶体管。这一突破是碳纳米管发展的重大里程碑，将引领碳纳米管在逻辑电路、高速无线通讯和其他半导体电...
关键词：纳米晶体管 碳纳米管 硅晶体管 性能 美国威斯康星大学 半导体电子器件 砷化镓晶体管 逻辑电路 
GaAs PHEMT器件的失效模式及机理被引量：6
《电子产品可靠性与环境试验》2007年第6期19-22,共4页许燕 黄云 邓文基 
归纳了GaAs PHEMT器件的几种常见失效模式,并从6个方面分析了PHEMT器件的失效机理:热电子应力退化、氢效应、2DEG结构退化、欧姆接触退化、肖特基接触退化和电迁移。
关键词：砷化镓晶体管 失效模式 失效机理 
一种新的GaAs PHEMT器件可靠性评估方法研究被引量：8
《物理学报》2003年第10期2576-2579,共4页刘红侠 郑雪峰 韩晓亮 郝跃 张绵 
国家自然科学基金 (批准号 :6 0 2 0 6 0 0 6 );国防预研基金 (批准号 :0 0J8.4 .3DZ0 1)资助的课题~~
通过研究应力前后GaAsPHEMT器件电特性的测量 ,分析了GaAsPHEMT退化的原因 ,从实验中得出高场下碰撞电离的电离率与器件沟道电场峰值的关系曲线 .对高场下碰撞电离率的实验曲线进行拟合 ,可以得到碰撞电离率与器件沟道电场峰值的量化关...
关键词：高电子迁移率晶体管 PHEMT器件 可靠性评估 碰撞电离率 GAAS 退化 沟道电场峰值 砷化镓晶体管 
量子检测器
《中国科教创新导刊》2000年第8期23-23,共1页平生 
关键词：量子检测器 引力波 量子点 光子对 砷化镓晶体管 固态光电二极管 量子加密 空间变形 科学家 量子密码学 
AlGaAs/GaAs HBT基区电流的研究
《东南大学学报（自然科学版）》1998年第6期34-39,共6页廖小平 魏同立 
在ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴＥＭ模型直流参数的研究基础上，对ＨＢＴ的基区电流进行了研究，特别是针对ＢＥ结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流，因为在ＨＢＴ的小偏置情况下，ＨＢＴ的ＢＥ结空间电荷区的复合电流和基区表...
关键词：基区电流 ALGAAS/GAAS HBT 空间电荷区 基区表面 复合电流 砷化镓晶体管 砷铝镓化合物晶体管 
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