空间电荷区

作品数：29被引量：29H指数：3
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N阱电阻的单粒子效应仿真被引量：1
《物理学报》2023年第2期209-218,共10页琚安安 郭红霞 张凤祁 刘晔 钟向丽 欧阳晓平 丁李利 卢超 张鸿 冯亚辉 
国家自然科学基金(批准号:11875229,51872251)资助的课题。
利用计算机辅助设计(technology computer aided design,TCAD)软件针对N型阱电阻的单粒子效应开展仿真研究,结果表明单个重离子入射到N阱电阻中会造成器件输出电流的扰动.经过对电阻的工作机理和单粒子效应引入的物理机制进行分析,结果...
关键词：阱电阻 空间电荷区 单粒子效应 瞬态电流 
基于半导体物理的MOSFET亚阈区电流特性研究被引量：1
《北京信息科技大学学报（自然科学版）》2019年第2期19-22,共4页高歌 殷树娟 于肇贤 
国家自然科学基金资助项目(61604014);北京市教委科技面上项目(71E1810981)
针对亚阈区导电问题,基于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件结构,由半导体表面空间电荷区的不同物理状态出发,分析了能带及载流子浓度随偏置电压的变化情况,推导了亚阈区表面弱反型的条件及亚阈区导电电流模型,得到了定性描绘MO...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 空间电荷区 亚阈值区 电流模型 
Matlab GUI在PN结空间电荷区相关计算中的应用
《长治学院学报》2017年第5期84-86,共3页赵丹梅 
文章使用matlab用户图形界面设计了一个计算和分析PN结空间电荷区宽度的可视化界面。通过分析PN结的形成,从理论上给出空间电荷区宽度的计算公式,讨论了影响空间电荷区宽度的因素,最终得到影响PN结空间电荷区宽度的主要因素为P区和N区...
关键词：PN结 半导体物理 MATLAB图形用户界面 
基于傅里叶级数的改进型IGCT物理模型被引量：4
《高电压技术》2017年第7期2175-2182,共8页王佳蕊 孔力 屈慧 裴玮 
研究集成门极换流晶闸管(IGCT)高精度模型建模方法,有助于深入分析IGCT运行特性、提高含IGCT变流器的整体性能。为此,建立了基于傅里叶级数法的改进型IGCT物理模型,根据IGCT运行特性考虑了N基区非耗尽区注入状态的变化,且针对不同注入...
关键词：集成门极换流晶闸管 双极输运方程 注入状态 傅里叶级数法 空间电荷区压降 
钙钛矿型多晶薄膜太阳电池(4)
《太阳能》2015年第4期17-18,共2页廖显伯 郝会颖 韩培德 向贤碧 
2014年，中国科学院物理所孟庆波小组也制备了无空穴传输层的钙钛矿电池（TiO2／CH3NH3PbI3／Au），但对界面进行了调控处理，获得10．49％的电池效率，并对电池的I-V特性进行了系统分析，表明该类电池是一种典型的平面异质结电池，具...
关键词：薄膜太阳电池 钙钛矿型 中国科学院物理所 多晶 空穴传输层 I-V特性 空间电荷区 电池效率 
切向的近本征硅单晶的普克尔斯效应研究
《河南科技》2015年第8期127-129,共3页赵建勋 
本研究采用金属-绝缘体-半导体的平板结构在(111)切向的近本征硅单晶的空间电荷区内观测到了线性电光效应。实验结果表明:硅单晶的线性电光效应十分可观,在设计硅基光电子器件时必须考虑。该效应在未来有可能作为一种研究硅器件的空间...
关键词：硅 普克尔斯效应 空间电荷区 
浅谈平面高压VDMOS工艺平台发展
《电子质量》2014年第3期1-8,13,共9页鄢细根 
该文从国内生产线的实际出发,简单介绍了目前国内主流功率VDMOS器件生产厂家所采用的平面高压VDMOS工艺平台,初步总结了当前各种成熟工艺平台具有的特点与优点,希望该文有助于国内同行之间相互借鉴与提高,目的是促进民族工业不断向前发展。
关键词：VDMOS 工艺平台 元胞 主结 终端结构 分压环 场板 空间电荷区 PN结 EAS 
亚阈值下MOSFET氧化层和空间电荷区的二维电势解析模型被引量：1
《电子学报》2013年第11期2237-2241,共5页韩名君 柯导明 王保童 王敏 徐春夏 
国家自然科学基金(No.61076086);高等学校博士学科点专项科研基金(No.20103401110008)
本文用特征函数将因氧化层和空间电荷区衔接条件得到的恒等式作正交展开,把未知量求解转化成一组线性代数方程,得到了二维电势解析表达式,并给出了电势能极值点的计算方法.模型的优点是精度与数值解的精度相同,不含适配参数、运算量小...
关键词：金属氧化物半导体场效应管 电势解析模型 栅氧化层 空间电荷区 
硅基微通道板微孔结构形貌的实验研究
《激光与光电子学进展》2012年第5期160-164,共5页吕文峰 周彬 罗建东 雷耀虎 郭金川 牛憨笨 
国家自然科学基金(11074172);深圳市科技研发资金重点实验室提升发展项目(CXB201005240011A);深圳市科技计划基础研究重点项目(JC200903130326A)资助课题
硅基微通道板(MCP)的重要技术挑战之一就是如何在硅基上制作高深宽比的微孔阵列结构。采用光助电化学刻蚀方法研究硅基高深宽比微孔阵列制作技术。考虑到实际反应条件下的物质输送、刻蚀液浓度、光照条件、温度等因素的影响都体现在刻...
关键词：光学器件 微孔阵列 光助电化学刻蚀 空间电荷区 深宽比 探测器 
SiGe HBT射频噪声模型研究
《通信技术》2011年第10期116-117,120,共3页辛金锋 王军 
对现代的双极型晶体管而言,载流子在基极和集电极的空间电荷区(CB SCR)传输延迟可比基极渡越时间,甚至要大于后者。为了更精确地表征了SiGe HBT的射频噪声性能,对van Vliet模型做了扩展,使其包含基极集电极空间电荷区的延迟效应。用2个...
关键词：硅锗异质结双极型晶体管 空间电荷区 非准静态 噪声模型 
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