罗建东

作品数：3被引量：7H指数：1
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供职机构：深圳大学光电子学研究所光电子器件与系统教育部重点实验室更多>>
发文主题：电化学刻蚀硅基硅高深宽比微通道板更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程更多>>
发文期刊：《激光与光电子学进展》《光子学报》《光电工程》更多>>
所获基金：国家自然科学基金深圳市科技计划项目更多>>
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大面积高深宽比微结构硅片的热氧化实验研究被引量：1
《光电工程》2012年第8期105-110,共6页罗建东 周彬 吕文峰 雷耀虎 郭金川 牛憨笨 
国家自然科学基金项目(11074172;10774102);深圳市科技计划项目(CXB201005240011A;JC200903130326A)
利用大面积硅片制作X射线光栅和硅基微通道板等都涉及硅的热氧化工艺。热氧化使具有高深宽比微结构的大面积硅片产生形变,严重影响了这些器件的应用。本文以5英寸硅片为例,研究了硅基微结构在热氧化过程中的变形问题,定性分析了产生形...
关键词：硅 热氧化 高深宽比 热膨胀系数 热塑性形变 
硅基微通道板微孔结构形貌的实验研究
《激光与光电子学进展》2012年第5期160-164,共5页吕文峰 周彬 罗建东 雷耀虎 郭金川 牛憨笨 
国家自然科学基金(11074172);深圳市科技研发资金重点实验室提升发展项目(CXB201005240011A);深圳市科技计划基础研究重点项目(JC200903130326A)资助课题
硅基微通道板(MCP)的重要技术挑战之一就是如何在硅基上制作高深宽比的微孔阵列结构。采用光助电化学刻蚀方法研究硅基高深宽比微孔阵列制作技术。考虑到实际反应条件下的物质输送、刻蚀液浓度、光照条件、温度等因素的影响都体现在刻...
关键词：光学器件 微孔阵列 光助电化学刻蚀 空间电荷区 深宽比 探测器 
大面积高深宽比硅微通道板阵列制作被引量：6
《光子学报》2012年第2期228-231,共4页吕文峰 周彬 罗建东 郭金川 
国家自然科学基金项目(No.11074172);深圳市科技研发资金重点实验室提升项目(No.CXB201005240011A);深圳市科技计划基础研究重点项目(No.JC200903130326A)资助
利用光辅助电化学刻蚀方法,在厚度为425μm的5英寸硅片上,制作成深宽比达50以上的微通道板阵列结构.理论分析了影响微孔阵列形貌形成的关键因素,并结合实验条件,通过调整刻蚀电压值和根据莱曼模型修正实验电流值得到理想的孔壁形貌.结...
关键词：微制作 光辅助电化学刻蚀 深宽比 微通道板 
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