云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- ALGAAS/GAAS

ALGAAS/GAAS: 作品数：90被引量：95H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：邹继军彭新村邓文娟李献杰赵永林更多>>; 相关机构：中国科学院东华理工大学南京电子器件研究所吉林大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划江西省自然科学基金更多>>

Demonstration and operation of quantum harmonic oscillators in an AlGaAs–GaAs heterostructure: 《Frontiers of physics》2023年第1期63-69,共7页Guangqiang Mei Pengfei Suo Li Mao Min Feng Limin Cao; Profs.Y.Zhang,J.Chen,J.Zhao,and C.Lin are greatly appreciated.M.Feng thanks financial support from the National Key R&D Program of China(Grant No.2018YFA0305802);the Strategic Priority Research Program of Chinese Academy of Sciences(Grant No.XD30000000);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.11574364 and 11774267);L.Mao thanks financial support from the National Key R&D Program of China by the Ministry of Science and Technology of China(Grant No.2015C8932400).; The quantum harmonic oscillator(QHO),one of the most important and ubiquitous model systems in quantum mechanics,features equally spaced energy levels or eigenstates.Here we present a new class of nearly ideal QHOs fo...; 关键词：quantum harmonic oscillator AlGaAs/GaAs semiconductor heterostructure single-electron transistor gate tuning

变组分变掺杂p-i-n型AlGaAs/GaAs微结构中子探测器性能表征被引量：1: 《机电工程技术》2023年第1期14-17,71,共5页周青邹继军叶鑫张明智; 国家自然科学基金资助项目(编号:12275049);江西省重点研发计划项目(编号:20212BBG73012)。; 制备了一种在p-i-n型AlGaAs/GaAs材料上刻蚀微沟槽的中子探测器。通过MOCVD技术生长了变组分变掺杂的p-i-n型AlGaAs/GaAs,使用ICP技术在材料上刻出微沟槽,沟槽宽度为25μm,深度为10μm。探测器的探测面积为4 mm^(2),沟槽宽度和间距为1...; 关键词：ALGAAS 中子探测器微结构 6LiF 热中子

电场调控AlGaAs/GaAs Rosen-Morse量子阱非线性光学特性研究: 《现代物理》2022年第6期137-145,共9页张志海袁建辉; 在本工作中,我们运用密度矩阵和迭代的方法系统研究了外加电场调控下AlGaAs/GaAs Rosen-Morse量子阱的非线性光学性质。同时我们采用有限差分方法求解该系统的能级以及对应的波函数。研究发现:非线性光吸收和光整流的共振峰的大小和位...; 关键词：ALGAAS/GAAS 非线性光学性质非线性光学特性共振峰外加电场光吸收系数密度矩阵量子阱

光和电注入变带隙AlGaAs/GaAs负电子亲和势阵列阴极理论建模和结构特性分析: 《物理学报》2022年第23期396-405,共10页邓文娟周甜王壮飞吴粤川彭新村邹继军; 国家自然科学基金(批准号:61961001,11875012,62061001,61771245);江西省自然科学基金(批准号:20181BAB202026,20192ACBL20003,20202BAB202013,20203BBE53030);江西省“双千计划”项目(批准号:jxsq2019201053);江西省教育厅科技项目(批准号:GJJ170451)资助的课题.; 为了使具备光和电注入AlGaAs/GaAs负电子亲和势(NEA)阵列阴极获得较高的发射电流效率,基于变带隙发射阵列中电子输运的二维连续性方程,利用有限体积法进行数值求解和仿真,得到发射电流和发射电流效率.通过仿真得到既适合光注入又合适电...; 关键词：光注入电注入阵列阴极发射电流效率

AlGaAs/GaAs PIN超宽带微波毫米波单刀三掷开关: 《固体电子学研究与进展》2022年第5期357-362,共6页章军云齐志央凌志健尹志军王溯源李信王学鹏陈堂胜; 研制了基于异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管的超宽带微波毫米波开关单片。通过异质结外延材料结构的设计和MOCVD生长技术、高台面PIN开关电路制备工艺技术、超宽带模型管S参数测试与电路设计,制作了一款0.05~50 GHz的超宽带PIN单刀三掷开...; 关键词：铝镓砷砷化镓异质结 PIN二极管毫米波单刀三掷开关

异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管毫米波开关优化设计及其成像应用: 《激光与光电子学进展》2021年第22期84-92,共9页王泽宇李辰辰高一强孙浩杨明辉孙晓玮; 国家自然科学基金面上项目(61671439);国家自然科学基金重点项目(61731021);中国科学院科技服务网络计划(STS计划)区域重点项目。; 以主动式毫米波全息成像的应用为背景,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研制的异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管毫米波开关为安检成像领域的关键核心器件,为此提出一种基于高、低阻抗变换线的补偿结构以优化高频处的匹配程度。设计合...; 关键词：光学设计毫米波成像 PIN二极管开关宽带散射参数功率发射

异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管结构的设计及分析被引量：4: 《激光与光电子学进展》2020年第23期262-267,共6页刘莉李彩艳张祁莲孙晓玮孙浩; 中国科学院科技服务网络计划。; 设计了一种应用于毫米波开关及限幅器的异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管材料结构,接着对影响二极管性能的两个主要因素(Al掺杂量和I层厚度)进行分析和优化,然后采用分子束外延与半导体工艺流片制备出了验证器件。对该器件进行测试,测试结...; 关键词：材料 PIN二极管异质结 Ⅰ-Ⅴ特性 S参数

AlGaAs插入层对InAs/AlGaAs/GaAs量子点的尺寸分布影响被引量：1: 《贵州大学学报（自然科学版）》2018年第3期39-43,共5页张之桓丁召王一郭祥罗子江杨晨杨晓珊许筱晓; 国家自然科学基金项目资助(61564002;11664005;61604046);贵州省科学技术基金项目资助(黔科合J字[2014]2046;黔科合LH字[2016]7436;黔科合基础[2017]1055); 采用MBE系统,在GaAs(001)表面用S-K模式分别在原子级平坦的GaAs和AlGaAs/GaAs表面沉积3 ML的InAs量子点,利用STM研究了AlGaAs插入层对InAs/GaAs量子点尺寸分布的影响。研究发现,AlGaAs插入层会使InAs/GaAs量子点平均尺寸变小,而尺寸分...; 关键词：MBE STM S-K模式 InAs/AlGaAs/GaAs 量子点

Four-junction AlGaAs/GaAs laser power converter: 《Journal of Semiconductors》2018年第4期44-48,共5页Jie Huang Yurun Sun Yongming Zhao Shuzhen Yu Jianrong Dong Jiping Xue Chi Xue Jin Wang Yunqing Lu Yanwen Ding; Project financially supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61376065);Zhongtian Technology Group Co.Ltd; Four-junction A1GaAs/GaAs laser power converters （LPCs） with n＋-GaAs/p＋-A10.37Ga0.63As hetero- structure tunnel junctions （TJs） have been designed and grown by metal-organic chemical vapor deposition （MOCVD） f...; 关键词：laser power converters （LPCs） metal-organic chemical vapor deposition （MOCVD） GAAS

基于金属背支撑刻蚀技术的柔性AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池研制被引量：2: 《半导体光电》2016年第5期688-693,共6页卢建娅谭明杨文献陆书龙张玮黄健; 国家自然科学基金项目(61176128;61404157;61534008);国家"863"计划项目(2013AA050403);苏州市应用基础基金项目(SYG201437); 对柔性GaAs基太阳电池的制备方法进行研究,报道了一种用于制备柔性倒置生长的AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池的剥离和转移方法——金属背支撑选择性湿法刻蚀技术。在GaAs/GaInP选择性腐蚀的基础上进行了GaAs衬底层的腐蚀,研究了不同...; 关键词：AlGaInP/AlGaAs/GaAs 太阳电池柔性薄膜湿法腐蚀重量比功率

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