彭新村

作品数：22被引量：22H指数：2
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供职机构：东华理工大学更多>>
发文主题：光电阴极中子探测器ALGAAS/GAAS光电发射热光伏电池更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
发文期刊：《半导体技术》《光电子技术》《电子测试》《核电子学与探测技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金江西省自然科学基金江西省教育厅青年科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
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InP/InGaAsP/InGaAs场助近红外光电阴极理论建模和特性分析
《半导体技术》2024年第9期806-812,817,共8页李想 邓伟婷 邓文娟 彭新村 周书民 邹继军 
国家自然科学基金(61961001,11875012,62061001);江西省自然科学基金(20181BAB202026);江西省技术创新引导类项目(科技合作专项)(20212BDH80008);江西省“双千计划”项目(jxsq2019201053)。
场助光电阴极可以有效提高长波阈值处的外量子效率,在近红外波段中有着较为广泛的应用。设计了pn结型n-InP/p-InGaAsP/p-InGaAs场助光电阴极,通过电流连续性方程建立其电子发射模型,在该模型基础上调整各层参数进行仿真,获得电子发射电...
关键词：光电阴极 场助 INGAASP 近红外 外量子效率 
n-InP/p-InP/p-InGaAs场助光电阴极理论建模与仿真被引量：1
《真空科学与技术学报》2023年第6期547-553,共7页岳江楠 李禹晴 陈鑫龙 徐鹏霄 邓文娟 彭新村 邹继军 
国家自然科学基金项目(11875012,61961001,62061001);江西省自然科学基金项目(20192ACBL20003,20181BAB202026,20202BAB202013);江西省“双千计划”项目(jxsq2019201053)。
场助光电阴极与通常的负电子亲和势光阴极相比,能显著延长长波阈值,因此在近红外光探测中有着广阔的应用前景。本文利用二维连续性方程建立了n-InP/p-InP/p-InGaAs场助光阴极的电子发射模型。通过模型模拟得到了电子发射电流,并计算了...
关键词：光电阴极 量子效率 场助 INGAAS 
氢氟酸清洗时间对GaAs柱阵列光电阴极的影响
《电子测试》2023年第3期38-42,共5页李辰阳 彭新村 肖德鑫 杨鲁浩 刘思源 钟潮燕 王玉 江霖霖 
国家自然科学基金(12375158,62061001,61961001);江西省自然科学基金重点项目(20232ACB202004);江西省重点研发计划“揭榜挂帅”项目(20223BBH80005);核技术应用教育部工程中心开放基金(HJSJYB2021-5);江西省“双千计划”(jxsq2018102091,jxsq2019201053)资助
随着电子加速器技术的不断发展,对注入器的要求也越来越高,作为注入器的核心部件,性能优异的光电阴极决定了束流的质量。伴随着纳米加工手段的不断进步和纳米光子学的不断发展,设计并制备出具有纳米柱阵列的光电GaAs阴极,与平面GaAs光...
关键词：GaAs纳米柱阵列光电阴极 氢氟酸清洗 光电阴极 
应用于光电阴极的SiO_(2)纳米孔阵列被引量：1
《武汉理工大学学报》2023年第3期23-30,共8页肖家军 彭新村 李辰阳 杨鲁浩 邹继军 张蓓 钟潮燕 王玉 
国家自然科学基金(62061001,11875012,61961001);江西省自然科学基金(20202BAB202013,20192ACBL20003);核技术应用教育部工程研究中心开放基金(HJSJYB2021-5);江西省“双千计划”(jxsq2019201053)。
目前以正电子亲合势K2CsSb为代表的光电发射阴极材料因其有源层较薄的特征使其光吸收能力较差,现成为限制其提升性能的重要因素之一。以聚苯乙烯(PS)纳米球剥离法制备的金属孔阵为掩膜,在SiO2衬底上刻蚀制备纳米孔阵列。首先刻蚀单层自...
关键词：金属掩膜 ICP刻蚀 二氧化硅纳米孔阵 
光和电注入变带隙AlGaAs/GaAs负电子亲和势阵列阴极理论建模和结构特性分析
《物理学报》2022年第23期396-405,共10页邓文娟 周甜 王壮飞 吴粤川 彭新村 邹继军 
国家自然科学基金(批准号:61961001,11875012,62061001,61771245);江西省自然科学基金(批准号:20181BAB202026,20192ACBL20003,20202BAB202013,20203BBE53030);江西省“双千计划”项目(批准号:jxsq2019201053);江西省教育厅科技项目(批准号:GJJ170451)资助的课题.
为了使具备光和电注入AlGaAs/GaAs负电子亲和势(NEA)阵列阴极获得较高的发射电流效率,基于变带隙发射阵列中电子输运的二维连续性方程,利用有限体积法进行数值求解和仿真,得到发射电流和发射电流效率.通过仿真得到既适合光注入又合适电...
关键词：光注入 电注入 阵列阴极 发射电流效率 
场助光电阴极研究进展
《光电子技术》2022年第4期248-253,266,共7页岳江楠 李禹晴 陈鑫龙 徐鹏霄 邓文娟 彭新村 邹继军 
国家自然科学基金(11875012,61961001,62061001);江西省自然科学基金(20192ACBL20003,20181BAB202026,20202BAB202013);江西省“双千计划”项目(jxsq2019201053)。
对场助光电阴极的发展进行回顾,介绍了场助光电阴极的工作原理,系统总结了三种具有代表性的阴极结构,分别是InP/InGaAsP/InP、InP/InGaAs、InGaAs/InAsP/InP光电阴极。InP/InGaAsP/InP双异质结结构是场助光电阴极研究的热点,这种结构大...
关键词：场助光电阴极 转移电子光电阴极 铟镓砷 磷化铟 
变掺杂变组分Al_(x)Ga_(1–x)As/GaAs反射式光电阴极分辨力特性被引量：2
《物理学报》2022年第15期265-271,共7页邓文娟 朱斌 王壮飞 彭新村 邹继军 
国家自然科学基金(批准号:61961001,11875012,62061001,61771245);江西省自然科学基金(批准号:20181BAB202026,20192ACBL20003,20202BAB202013,20203BBE53030);江西省“双千计划”(批准号:jxsq2019201053)资助的课题。
根据建立的变掺杂变组分反射式Al_(x)Ga_(1–x)As/GaAs光电阴极的分辨力模型以及调制传递函数(MTF)理论模型,仿真了材料中掺杂浓度线性变化、Al组分线性变化,掺杂浓度均匀不变、Al组分线性变化,掺杂浓度线性变化、Al组分均匀不变,掺杂...
关键词：变掺杂变组分 调制传递函数 内建电场 分辨力 
基于纳米压印技术的GaAs纳米柱阵列ICP刻蚀工艺及其光学特性研究被引量：1
《电子测试》2022年第10期39-41,56,共4页刘双飞 肖家军 张蓓 彭新村 邹继军 邓文娟 
国家自然科学基金(62061001,61204071,61961001);江西省自然科学基金(20202BAB202013)资助项目。
近年来,半导体纳米阵列结构材料因能激发光学共振及其优良的光电性能在光电子器件领域被广泛的应用。本文采用纳米压印技术制备具有一定直径和周期的SiO_(2)纳米柱作为掩膜层,采用ICP刻蚀制备了GaAs纳米柱阵列,重点研究了不同刻蚀条件...
关键词：纳米压印 GaAs纳米柱阵列 光学共振 
纳米光子学结构对GaInAsSb p-n结红外光电性能的调控
《物理学报》2021年第11期333-341,共9页皇甫夏虹 刘双飞 肖家军 张蓓 彭新村 
国家自然科学基金(批准号:62061001,61204071);江西省自然科学基金(批准号:20202BAB202013)资助的课题。
GaInAsSb在红外光电领域具有重要应用价值,但是窄带隙材料较高的本征载流子浓度和俄歇复合系数使其室温暗电流密度较高,需要进行制冷才能获得满足应用要求的光电性能.本文利用表面宽带隙半导体纳米柱阵列和背面高反射率金属对GaInAsSb ...
关键词：纳米光子学 GAINASSB 红外 
氧等离子体处理对GaAs表面单层自组装SiO2纳米球薄膜的影响
《发光学报》2020年第3期253-258,共6页王智栋 刘云 彭新村 邹继军 朱志甫 邓文娟 
国家自然科学基金(11875012,61204071);江西省新能源工艺及装备工程技术研究中心开放基金(JXNE2018-05)资助项目。
二维纳米阵列结构因其重要的光学性能被广泛应用于各类光电子器件。本文对自组装单层SiO2纳米球掩模刻蚀法制备GaAs纳米柱二维阵列结构的关键工艺技术进行了研究。采用旋涂法在GaAs表面制备自组装单层SiO2纳米球,重点研究了GaAs表面氧...
关键词：SiO2纳米球 氧等离子体 ICP刻蚀 
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