云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- GAINASSB

GAINASSB: 作品数：20被引量：3H指数：1; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：夏冠群梁帮立程宗权李志怀金亿鑫更多>>; 相关机构：中国科学院中国科学院上海冶金研究所中国科学院长春光学精密机械与物理研究所湖南大学更多>>; 相关期刊：《Optoelectronics Letters》《微电子技术》《高技术通讯》《Chinese Physics B》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划江西省自然科学基金更多>>

纳米光子学结构对GaInAsSb p-n结红外光电性能的调控: 《物理学报》2021年第11期333-341,共9页皇甫夏虹刘双飞肖家军张蓓彭新村; 国家自然科学基金(批准号:62061001,61204071);江西省自然科学基金(批准号:20202BAB202013)资助的课题。; GaInAsSb在红外光电领域具有重要应用价值,但是窄带隙材料较高的本征载流子浓度和俄歇复合系数使其室温暗电流密度较高,需要进行制冷才能获得满足应用要求的光电性能.本文利用表面宽带隙半导体纳米柱阵列和背面高反射率金属对GaInAsSb ...; 关键词：纳米光子学 GAINASSB 红外

Optoelectronic properties of single-crystalline GaInAsSb quaternary alloy nanowires被引量：1: 《Chinese Physics B》2018年第7期543-547,共5页李梦姿陈新亮李洪来张学红祁朝阳王晓霞范鹏张清林朱小莉庄秀娟; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.51525202,61505051,1137049,61474040,and 61635001);the Aid Program for Science and Technology Innovative Research Team in Higher Educational Institutions of Hunan Province,China;the Fundamental Research Funds for the Central Universities,China; Bandgap engineering of semiconductor nanomaterials is critical for their applications in nanoelectronics, opto- electronics, and photonics. Here we report, for the first time, the growth of single-crystalline quaterna...; 关键词：GalnAsSb nanowire quaternary alloy near-infrared photodetector

Effect of carrier recombination mechanisms on the open circuit voltage of n^+-p GaInAsSb thermophotovoltaic cells: 《Optoelectronics Letters》2010年第1期11-14,共4页彭新村郭欣张宝林李香萍赵晓薇董鑫郑伟杜国同; supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60676040);the Fund of State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics; By analyzing the main recombination mechanisms in GaInAsSb materials, the dependences of the dark current density and open circuit voltage in n+-p GaInAsSb thermophotovoltaic cells on the recombination parameters, car...; 关键词：GAINASSB 重组机制开路电压电池光电表面复合速度运营商载流子浓度

Growth of 0.55eV-GaInAsSb Quaternary Alloy Films for a Thermophotovoltaic Device by Liquid Phase Epitaxy: 《Journal of Semiconductors》2008年第7期1258-1262,共5页刘磊陈诺夫杨晓丽汪宇高福宝; Lattice matched Ga1-x Inx Asy Sb1-y quaternary alloy films for thermophotovoltaic cells were successfully grown on n-type GaSb substrates by liquid phase epitaxy. Mirror-like surfaces for the epitaxial layers were ach...; 关键词：GAINASSB LPE THERMOPHOTOVOLTAIC spectrum response

CH3CSNH2/NH4OH钝化GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器: 《Journal of Semiconductors》2005年第z1期132-135,共4页刘延祥唐绍裘夏冠群程宗权郑燕兰; 国家自然科学基金资助项目(批准号:60176011); 引入一种新的低毒化合物CH3CSNH2/NH 4OH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多,且钝化83天后保持良好的钝化效果,取得了与(NH4)2S溶液一样理想的钝化效果.并采用AES和XPS对钝化...; 关键词：CH3CSNH2/NH4OH GAINASSB 钝化

共振腔增强GaInAsSb光电探测器设计及数值模拟被引量：1: 《红外技术》2004年第4期69-72,共4页李军宋航金亿鑫蒋红缪国庆赵海峰; 国家自然科学基金资助项目(60177014; 50072030;50132020); 设计了一种从衬底入射的共振腔增强型GaInAsSb/GaSb光电探测器结构。在这种结构中,上反射镜是由9.5～15.5个周期的InAs/GaSbQWS组成,下反射镜由3个周期的SiO2/SiQWS组成。器件上表面镀有一层高透射率的抗反射层。计算表明,在设计的工作...; 关键词：共振腔增强 GAINASSB 光电探测器 DBR 反射率量子效率

PIN结构GaInAsSb红外探测器的PSPICE模型: 《功能材料与器件学报》2003年第1期34-38,共5页李志怀夏冠群程宗权黄文奎伍滨和; 国家自然科学基金资助(No.60176011); 研究了PIN结构GaInAsSb红外探测器的暗电流特性,建立了器件的PSPICE模型。模拟结果与实际测试结果基本符合。计算结果表明,器件表面和内部的缺馅及表面复合电流对器件的反向特性起主要作用,当反向偏压大于0.35V,缺陷引起的隧穿电流对器...; 关键词：GAINASSB 红外控制器 PSPICE

中红外GaInAsSb PIN多结光伏探测器设计与数值模拟: 《固体电子学研究与进展》2002年第1期114-119,共6页梁帮立夏冠群周咏东范叔平; 国家 8 63高技术研究基金 (课题编号 863 -715 -0 0 1-0 15 2 )资助项目; 从非平衡载流子的扩散 -复合理论出发 ,提出 PIN多结探测器材料结构 ,并建立了理论模型进行定量计算 ,从理论上解决了不能同时兼顾增大量子效率与光电增益和降低噪声的矛盾。利用该模型对 Ga In As Sb材料体系作了数值模拟 ,单结器件性...; 关键词：镓铟砷锑多结结构数值模拟红外探测器光伏探测器

2.4μm GaInAsSb红外探测器台面腐蚀研究: 《微电子技术》2000年第4期24-27,共4页梁帮立夏冠群富小妹程宗权; 国家863高技术研究发展计划!课题代号863-715-0152; 本文提出了适于２．μｍ　ＧａＩｎｓＳｂ台面结构探测器制备的ＨＦ／Ｈ２Ｏ２／Ｃ４Ｈ６Ｏ６／Ｈ２Ｏ腐蚀液体系，并确定了合适的成分配比。实验结果表明，该腐蚀液体系对ＧａＩｎＡｓＳｂ材料腐蚀速度适中、侧向腐蚀小、不破坏光刻...; 关键词：GAINASSB 红外探测器台面腐蚀

GaInAsSb共振腔增强光电探测器设计: 《功能材料与器件学报》1999年第3期169-174,共6页林春李爱珍; 本文用线性插值和介电常数的计算模型，得到了ＧａＩｎＡｓＳｂ四元系２．４μｍ探测器材料的组份及其折射率。将传统的ｐｉｎＧａＩｎＡｓＳｂ探测器结构置于两组ＡｌＡｓＳｂ／ＧａＳｂＢｒａｇｇ反射镜之间，可以得到接近１...; 关键词：共振腔增强反射率量子效率设计光电探测器

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