杨晓丽

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：多晶硅薄膜结晶法磁控溅射LPEGROWTH更多>>
发文领域：一般工业技术电气工程更多>>
发文期刊：《中国科学：技术科学》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：北京市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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铝诱导结晶法制备高度(111)择优取向多晶硅薄膜及成核分析被引量：1
《中国科学：技术科学》2010年第11期1378-1382,共5页黄添懋 陈诺夫 张兴旺 白一鸣 尹志岗 施辉伟 张汉 汪宇 王彦硕 杨晓丽 
国家重点基础研究发展计划("973"计划)(批准号:2010CB933803);北京市自然科学基金(批准号:2102042);浙江大学硅材料国家重点实验室访问学者基金(批准号:SKL2009-12)资助
采用铝诱导结晶法在玻璃衬底上制备了具有高度(111)择优取向的多晶硅薄膜.首先通过磁控溅射在玻璃衬底上先后沉积铝层和非晶硅层,然后在480℃下退火1h以完成铝诱导结晶.退火后硅层与铝层发生置换,形成了具有高度(111)择优取向以及良好...
关键词：多晶硅薄膜 铝诱导结晶 (111)择优取向 
Growth of 0.55eV-GaInAsSb Quaternary Alloy Films for a Thermophotovoltaic Device by Liquid Phase Epitaxy
《Journal of Semiconductors》2008年第7期1258-1262,共5页刘磊 陈诺夫 杨晓丽 汪宇 高福宝 
Lattice matched Ga1-x Inx Asy Sb1-y quaternary alloy films for thermophotovoltaic cells were successfully grown on n-type GaSb substrates by liquid phase epitaxy. Mirror-like surfaces for the epitaxial layers were ach...
关键词：GAINASSB LPE THERMOPHOTOVOLTAIC spectrum response 
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