铝诱导结晶法制备高度(111)择优取向多晶硅薄膜及成核分析  

作　　者：黄添懋[1] 陈诺夫[2,3] 张兴旺[1] 白一鸣[2] 尹志岗[1] 施辉伟[1] 张汉[1] 汪宇[1] 王彦硕[1] 杨晓丽[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京100083 [2]华北电力大学可再生能源学院,北京102206 [3]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027

出　　处：《中国科学：技术科学》2010年第11期1378-1382,共5页Scientia Sinica(Technologica)

基　　金：国家重点基础研究发展计划("973"计划)(批准号:2010CB933803);北京市自然科学基金(批准号:2102042);浙江大学硅材料国家重点实验室访问学者基金(批准号:SKL2009-12)资助

摘　　要：采用铝诱导结晶法在玻璃衬底上制备了具有高度(111)择优取向的多晶硅薄膜.首先通过磁控溅射在玻璃衬底上先后沉积铝层和非晶硅层,然后在480℃下退火1h以完成铝诱导结晶.退火后硅层与铝层发生置换,形成了具有高度(111)择优取向以及良好结晶质量的多晶硅层.通过对Al2O3氧化膜结构变化及晶格匹配进行分析,阐明了铝诱导结晶过程中(111)择优取向的铝层间接促使多晶硅(111)择优取向成核的作用机制.

关 键 词：多晶硅薄膜 铝诱导结晶 (111)择优取向 

分 类 号：TB383.2[一般工业技术—材料科学与工程]