王彦硕

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：太阳电池阵列多晶硅薄膜单片集成金属电极帽子更多>>
发文领域：电气工程一般工业技术更多>>
发文期刊：《微纳电子技术》《中国科学：技术科学》更多>>
所获基金：北京市自然科学基金国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
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高压GaAs微型太阳电池阵列的制备
《微纳电子技术》2011年第4期220-224,247,共6页白一鸣 陈诺夫 王彦硕 王俊 黄添懋 汪宇 张兴旺 尹志刚 张汉 吴金良 姚建曦 
国家自然科学基金资助项目(61006150,61076051);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB933800);北京市自然基金资助项目(2102042);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(10QG24)
为了提高GaAs微型太阳电池的输出性能,对微型太阳电池阵列的主要工艺进行了研究和改进。通过对帽层、背电极层和台面的选择性/非选择性湿法腐蚀工艺的探索,实现了对最佳腐蚀液的配比、腐蚀时间和温度的控制。采用侧壁钝化工艺和聚酰亚氨...
关键词：微型电源 GAAS太阳电池 漏电流 湿法腐蚀工艺 互连结构 
铝诱导结晶法制备高度(111)择优取向多晶硅薄膜及成核分析被引量：1
《中国科学：技术科学》2010年第11期1378-1382,共5页黄添懋 陈诺夫 张兴旺 白一鸣 尹志岗 施辉伟 张汉 汪宇 王彦硕 杨晓丽 
国家重点基础研究发展计划("973"计划)(批准号:2010CB933803);北京市自然科学基金(批准号:2102042);浙江大学硅材料国家重点实验室访问学者基金(批准号:SKL2009-12)资助
采用铝诱导结晶法在玻璃衬底上制备了具有高度(111)择优取向的多晶硅薄膜.首先通过磁控溅射在玻璃衬底上先后沉积铝层和非晶硅层,然后在480℃下退火1h以完成铝诱导结晶.退火后硅层与铝层发生置换,形成了具有高度(111)择优取向以及良好...
关键词：多晶硅薄膜 铝诱导结晶 (111)择优取向 
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