碳纳米晶体管性能首次超越硅晶体管  

作　　者：聂翠蓉 

出　　处：《功能材料信息》2016年第5期31-32,共2页Functional Materials Information

摘　　要：科技日报北京9月5日电（记者聂翠蓉）据美国威斯康星大学麦迪逊分校官网近日报道,该校材料学家成功研制的1英寸大小碳纳米晶体管,首次在性能上超越硅晶体管和砷化镓晶体管。这一突破是碳纳米管发展的重大里程碑,将引领碳纳米管在逻辑电路、高速无线通讯和其他半导体电子器件等技术领域大展宏图。碳纳米管管壁只有一个原子厚,是最好的导电材料之一。

关 键 词：碳纳米管 纳米晶体管 硅晶体管 性能 美国威斯康星大学 半导体电子器件 砷化镓晶体管 逻辑电路 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程]