张利民

作品数：1被引量：1H指数：1
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GaAs表面Ga、As的比对GaAs MESFET击穿电压的影响被引量：1
《半导体技术》2004年第12期38-40,共3页李云 张利民 李岚 张绵 
通过用XPS分析GaAs MESFET肖特基势垒制作前后的表面情况,发现GaAs表面Ga、As的比,对GaAs MESFET击穿电压有着明显的影响, 表面Ga、As比的明显偏离将导致击穿电压的下降。分析了GaAs表面Ga、As比偏离的原因,提出了改进的方法。
关键词：GAAS MESFET 击穿 偏离 
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