超深亚微米PMOSFET器件的NBTI效应  

NBTI Effect of Ultra Deep-Sub-Micron Devices

作　　者：韩晓亮[1] 郝跃[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,西安710071

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第6期626-630,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :60 2 0 60 0 6);军事重大预研 ( No.4130 80 60 30 5 )资助项目~~

摘　　要：研究了超深亚微米 PMOS器件中的 NBTI(负偏置温度不稳定性 )效应 ,通过实验得到了 NBTI效应对PMOSFET器件阈值电压漂移的影响 ,并得到了在 NBTI效应下求解器件阈值电压漂移的经验公式 .分析了影响NBTI效应的主要因素 :器件栅长、硼穿通效应和栅氧氮化以及其对器件寿命退化的作用 .给出了如何从工艺上抑制NBTI effect is a key issue for the device reliability of ultra-deep-sub-micron PMOSFET devices.The influence of NBTI effects on PMOSFET device threshold voltage shift is evaluated through experiments,and a formula derived from experience is given to solve the threshold voltage shift in NBTI effect in quantity.Device gate length,boron penetration effect and nitride gate oxide are three important factors to the NBTI effects,and they make great influence on device lifetime.Finally,some methods in procession are brought up to suppress the NBTI effect.

关 键 词：超深亚微米 NBTI效应 可靠性 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]